Транзистор - р-п-р-тип
Cтраница 2
Каждый каскад отклонения обеспечивает установку электронного луча в одно из 16 дискретных положений, что соответствует четырем положениям при отклонении в одной плоскости. Одна пластина соединяется с выходом триггера, выполненного на транзисторах р-п-р-типа, а другая - с - выходом триггера, выполненного на транзисторах n - p - n - типа. Полярность источников питания выбрана разной для боль - шей симметрии и увеличения размаха отклоняющих напряжений. [16]
Мультивибратор обычно содержит два взаимно связанных транзисторных усилителя, у которых для возбуждения и поддержания колебаний выход второго усилителя подключен к входу первого, а выход первого - к входу второго. На рис. 4.7 показана типичная схема мультивибратора, построенного на транзисторах р-п-р-типа. [17]
Принцип работы этих схем заключается в следующем. При подаче запирающего напряжения на базу ( например, положительного для транзисторов р-п-р-типа) оба перехода транзистора заперты: относительно коллекторного и эмиттерного электродов к базе транзистора приложено положительное напряжение. При этом резко уменьшаются остаточные токи, протекающие через оба перехода транзистора. При подаче на базу транзистора открывающего ( например, отрицательного) напряжения средняя величина тока, выпрямленного эмиттерным и коллекторным переходами в течение прямого полупериода, изменяется в соответствии с изменением базового тока. Так как управляющее и преобразуемое напряжения связаны между собой постоянным коэффициентом k, то и ток базы линейно связан с током коллектора. При этом во всем диапазоне преобразования сохраняется постоянная степень насыщения коллекторного тока и, следовательно, работа транзисторного преобразователя практически не зависит от усилительных параметров транзистора. [18]
На рис. 13.14 в показано реле с нормально разомкнутыми контактами, хотя в случае необходимости могут использоваться реле и с нормально замкнутыми контактами. Напряжение, снимаемое с фотоэлемента, в соответствующей полярности прикладывается к транзистору р-п-р-типа и создает на его базе прямое смещение. [19]
При вплавлении в такой германий сплава индий-сурьма происходит одновременно диффузия сурьмы в германий и меди из германия в рекри-сталлизованный слой и индий. Характерной особенностью этой структуры является наличие слоя n - типа высокого сопротив - ления, поэтому такой транзистор приближается по своим свойствам к транзистору р-п-р-типа. Кроме того, поскольку диффузия меди из германия в рекристаллизованный слой полностью повторяет форму фронта рекристаллизации, то уменьшается возможность токового пробоя и обеспечивается получение достаточно высоких предельных частот транзистора. [20]
Точно так же работают и транзисторы n - p - п-типа, только в них основными носителями тока являются не дырки, а электроны. В связи с этим полярность включения батарей, питающих цепи базы и коллекторов транзисторов n - p - n - типа, должна быть не такой, как у транзисторов р-п-р-типа, а обратной. [21]
На рис. 1.11 показан другой тип схем с отрицательной обратной связью. В схеме на рис. 1.11 а для получения отрицательной обратной связи по току исключен конденсатор, которым обычно шунтируют резистор R2 в цепи эмиттера. Поскольку здесь используется транзистор р-п-р-типа, для создания прямого смещения необходимо, чтобы эмиттер был положительным относительно базы. Для получения обратного смещения коллекторного перехода на коллектор подается отрицательное напряжение. В результате ток, протекающий по резистору в цепи эмиттера, создает падение напряжения указанной на рисунке полярности. Поскольку это падение напряжения на резисторе сопротивлением 330 Ом устанавливает потенциал эмиттера отрицательным относительно потенциала базы, имеет место отрицательная обратная связь. [22]
Из рис. 3.52, г видно, что база транзистора n - p - n - типа является одновременно коллектором транзистора p - n - p - типа ( генератора тока), а база транзистора р-п-р-типа - эмиттером транзистора п-р-п-типа. Структура базового элемента И2Л - типа представлена на рис. 3.52, д, откуда видно, что на кремниевой пластине весь базовый элемент размещается на площади, обычно занимаемой одним многоэмиттер-ным транзистором стандартного элемента ТТЛ-типа. На рис. 3.52, д стрелками обозначены структуры горизонтального транзистора р-п-р-типа и вертикального транзистора n - p - n - типа. Это в значительной степени определяет технологию изготовления элементов И2Л - типа и создает основные трудности при их реализации. Например, для увеличения быстродействия вентиля нельзя использовать легирование золотом, так как оно уменьшает инверсный коэффициент усиления по току транзисторов. [23]
 |
Схемы элементов И1 Л с базовыми ДШ. [24] |
На рис. 1.28, б показана схема элемента Й2Л с базовыми ДШ, реализующего логическую функцию И - НЕ. Элемент состоит из нагрузочного транзистора п-р-п-типа и переключательного транзистора р-п-р-тнпа. Диодная сборка подключена к базе переключательного транзистора. Особенностью данной схемы является то, что она может работать от источника питания разной полярности. Если напряжение питания отрицательное, то подложка заземляется, а инжектор подключается к отрицательному полюсу источника. При положительном напряжении питания подложка подсоединяется к положительному полюсу источника питания, а инжектор заземляется. Недостаток схемы - сравнительно низкое быстродействие, так как используется переключательный транзистор р-п-р-типа, достоинство - возможность достаточно простого совмещения ее с другими типами базовых элементов, например ТТЛ и ДТЛ. [25]
Страницы: 1 2