Транзистор - тип
Cтраница 3
Транзистор типа П4Д не является перспективным типом и к применению в разработках запрещен. Группа транзисторов ШЗА из технических условий исключена. [31]
Транзистор типа п - р - п работает аналогично, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны. Направление токов также изменится на противоположное. [32]
Транзисторы типа П101 - П103 кремниевые плосксстные; П104 - П 106 кремниевые точеч-ые; остальные транзисторы - германиевые. [33]
Транзисторы типов ГТ309Б и ГТ309Г аналогичными) технологии изготовления транзисторам типа П416, но выпускаются в ми ниатюрном металлическом герметичном корпусе и применяются в малогабаритной электронной аппаратуре. Выпускаются в пластмассовом корпусе. [34]
Транзисторы типа КП103 по своим параметрам превосходят известные транзисторы типа КГЦ 02; они имеют более высокую крутизну характеристики, что существенно для увеличения усиления. [35]
Транзисторы типа ГТЮ9Ж предназначены только для применения в часовых механизмах; транзисторы ГТ109Д, ГТ109Е - только для применения в медицинской промышленности. [36]
Транзисторы типа П504 - П505А снимаются с производства. [37]
Транзисторы типа П5 представляют собой маломощные германиевые сплавные р-п - р транзисторы, предназначенные для работы в диапазоне звуковых частот в маломощных высокочувствительных устройствах. Коэффициент шума для этих транзисторов измеряется также на частоте 1 000 гц в режиме ык - 1 в, 1Э - 0 2 ма. В этом режиме данные транзисторы имеют достаточно высокий ( порядка 35 дб) коэффициент усиления по мощности. Максимально допустимое значение коэффициента шумов для транзисторов П5Г и П5Д составляет 18 и 10 дб соответственно. В среднем эти транзисторы имеют также коэффициент шума порядка 5 - 6 дб. Минимальное значение коэффициента шума составляет для них около 3 дб. [38]
Транзисторы типа р-п - р используются крайне редко, так как имеют худшие электрические параметры. Основное преимущество технологии изготовления транзисторов типа п-р - п связано с относительно ( большим коэффициентом растворимости фосфора в кремнии, диффузия которого используется при создании области эмиттера. Кроме того, в транзисторах типа п-р - п неосновными носителями в базе являются электроны. Подвижность электронов при одинаковой температуре и концентрации примесей в кремнии приблизительно в два раза превышает подвижность дырок. [39]
Транзисторы типа п-р - п, получаемые таким способом, имеют высокое сопротивление коллектора. Так как концентрация примеси в диффузионной области быстро убывает с глубиной, то большая часть коллекторного тока протекает через высокоомную часть коллектора. [40]
Транзисторы типа р-п - р германиевые, сплавные: А21э ( при - 55 С, [ / кэ - 1 в, / к - 10 жа) 10; ибэ ( - 55 С, / б - 1 ма, / к - Ю ма) - 0 6 в; 1 / кэ ( 55 С, / б - 1 ма, / к-10 ма) - 0 5 в; / кбо ( 55 С, г / кэ - 10 в) - ЮОжка. [41]
Транзистор типа п-р - п включен по схеме с общей базой. [42]
Транзистор типа р-п - р включен по схеме с общим эмиттером. [43]
Транзисторы типа р-п - р состоят из двух областей полупроводника с дырочной проводимостью, разделенных тонким слоем п полупроводника. Эти структуры получают методами сплавления, вытягивания из расплава, а также диффузионным методом. В последнем случае p - n - переходы получаются путем диффузии примесей в исходную пластинку полупроводника с собственной проводимостью, например из газовой среды при высоких температурах. [44]
 |
Полевой транзистор полупроводниковой ИС с каналом и-типа ( а и р-тнпа ( б.| МОП-транзистор полупроводниковой ИС с индуцированным каналом n - типа ( а и р-типа ( б. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5