Транзистор - тип
Cтраница 4
Транзисторы типа МОП ( или МДП) все больше вытесняют в ИС биполярные транзисторы. Это объясняется важными преимуществами МОП-транзисторов, в частности их высоким входным сопротивлением и простотой устройства. Особенно просто изготовляются МОП-транзисторы с индуцированным каналом. На переходах между этими областями и подложкой поддерживается обратное напряжение, и таким образом осуществляется изоляция транзисторов от кристалла и друг от друга. Аналогичной является изоляция канала от кристалла. [46]
 |
Схемы включения транзистора. с общим эмиттером ( а. [47] |
Транзистор типа п-р - п ( рис. 5.33 е) работает аналогичным образом, только полярность напряжения, подводимого к его электродам, должна быть обратной. [48]
Транзистор типа п-р - п имеет эмиттер и коллектор электронной электропроводности, базу - дырочной электропроводности. Принцип действия транзистора аналогичен рассмотренному ранее. [49]
 |
Схема включения точечного транзистора. [50] |
Транзисторы типа р-п - р применяются более широко в усилительных, генераторных и преобразовательных схемах, а транзисторы типа п-р - п, распространенные гораздо меньше, в основном применяются в двухтактных и высокочастотных схемах. [51]
 |
Структура ( а и конструкция ( б маломощного биполярного транзистор а.| Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р - п. [52] |
Транзистор типа р-п - р работает аналогично, но на него подаются напряжения противоположной полярности. Между коллектором и базой транзистора типа п-р - п приложено положительное напряжение. [53]
Транзисторы типа МОП представляют собой четырехэлектродный полупроводниковый прибор. Истоком называется электрод, от которого начинают движение основные носители в канале, стоком - электрод, к которому двигаются основные носители, затвором - управляющий электрод. Четвертый электрод присоединен к подложке - полупроводниковой области, на которой изготавливается транзистор. [54]
 |
Устройство ( а, обозначение ( схема включения ( s транзистора. [55] |
Транзистор типа п-р - п имеет среднюю область с дырочной электропроводностью, а две крайние области - с электронной электропроводностью. Средняя область называется базой, одна крайняя область - эмиттером, другая - коллектором. [56]
Транзисторы типа п-р - п отличаются от транзисторов типа р-п - р тем, что в первых приложенные напряжения для нормального включения имеют противоположную полярность, а неосновными носителями заряда в базе являются свободные электроны. [57]
 |
Условные обозначения полевых транзисторов.| Приближенная эквивалентная. [58] |
Транзисторы типа МОП, как и с затвором в виде р-п перехода, могут обладать низким уровнем собственного шума в широком диапазоне частот вплоть до сотен мегагерц. Ввиду работы на основных носителях они менее критичны к влиянию температуры и радиоактивного облучения. [59]
Транзистор типа р-п - р, использованный только как эмиттерный повторитель, будет давать характерно малое время спада для указанного типа входного сигнала. Обусловленное транзистором типа п-р - п улучшение времени нарастания можно проанализировать, предполагая, что происходит запаздывание переднего фронта импульса на эмиттере относительно переднего фронта импульса на входе. В этом случае на базе транзистора типа п-р - п имеется положительное напряжение, большее по величине, чем на эмиттере, и транзистор типа п-р - п должен проводить, улучшая время нарастания сигнала. Основная схема этого типа, описанная в гл. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5