Транзистор - данный тип
Cтраница 1
Транзисторы данного типа имеют гарантированное минимальное значение параметра hFE 20 с разбросом 30 % для комнатной температуры 25 С и токовой нагрузки 1 А. При управляющем базовом токе / в 0.25 А это обеспечивает гарантированное насыщение транзистора ( VBE ( sat) 1 В, VCE ( sat) 0.4 В) во всем диапазоне токовой нагрузки. [1]
 |
Структура р-п - р транзистора.| Структура биполярного транзистора. [2] |
По принципу работы транзисторы данного типа являются бездрейфовыми благодаря равномерной концентрации примесей в базе. [3]
Разброс параметров связан с технологическими процессами при изготовлении транзисторов данного типа, с чистотой химических элементов и однородностью и чистотой исходного материала. Могут быть названы следующие основные причины разброса. [4]
Измерения показывают, что границы разброса параметров у транзисторов данного типа не одинаковы. Некоторые параметры имеют незначительный разброс, составляющий несколько процентов. Другие параметры, особенно те, которые не контролируются при производстве транзисторов, имеют значительный разброс, достигающий нескольких сотен процентов. Установлено, что разброс параметров у диффузионных транзисторов в большинстве случаев меньше, чем у дрейфовых. [5]
Если требуемые напряжения или токи превышают максимально допустимые значения для транзистора данного типа, то можно применять последовательное или параллельное включение регулирующих транзисторов. [6]
 |
Схема для исследования полупроводникового стабилизатора напряжения. [7] |
Если требуемые напряжения или токи превышают максимально допустимые значения для транзистора данного типа, то можно принять последовательное или параллельное включение регулирующих транзисторов. [8]
Для резонансного каскада, настроенного на данную частоту и построенного а транзисторе данного типа, максимальное усиление не должно превышать вполне определенной величины. [9]
 |
Третий элемент обозначения транзистора. [10] |
Шестой элемент обозначения ( буквы от А до Я) показывает разделение транзисторов данного типа на группы ( подтипы) по классификационным параметрам. [11]
Из формулы (6.7) можно определить минимальный ток коллектора / кmm, при котором можно использовать транзисторы данного типа, если известен минимально допустимый коэффициент усиления Втш, определяемый при анализе схем. [12]
После цифр может быть буква ( А, Б, В), обозначающая разновидность транзистора данного типа. [13]
Если полученное значение / ко очень мало, его увеличивают до значения, оптимального для транзистора данного типа с точки зрения коэффициента усиления тока и расхода энергии питания, если это позволяет напряжение источника питания. Например, для транзисторов типа П6, П13, П14 оптимальный ток коллектора составляет 0 5 - 1 ма. Ток или напряжение смещения базы находят по статическим характеристикам транзистора и выбранному току покоя коллектора. [14]
Предельный ток ( коллектора, эмиттера, базы) оговаривается для предотвращения перегрева тонких выводов электродов внутри корпуса транзистора или специфических для транзисторов данного типа явлений, нарушающих нормальную работу основных схем применения. [15]
Страницы: 1 2