Транзистор - данный тип
Cтраница 2
Максимальный ток ( коллектора, эмиттера, базы) оговаривается для предотвращения перегрева тонких выводов электродов внутри корпуса транзистора или специфических для транзисторов данного типа явлений, нарушающих нормальную работу основных схем применения. [16]
Если сопротивление резистора R не задано, его следует выбирать так, чтобы значение / к тах, найденное при определении точки А2 нагрузочной прямой, ( рис. 6.40) было не больше допустимого для транзистора данного типа. [17]
В необходимо включить последовательно три транзистора данного типа, что приведет к значительному усложнению схемы. [18]
 |
Схема термостабилизации режима транзисторного каскада. [19] |
В этой схеме диод включен в обратном направлении, а температурная характеристика обратного тока диода должна быть аналогична температурной характеристике обратного тока коллектора применяемого транзистора. Реализовать эту возможность, однако, удается только для одного транзистора данного типа. [20]
 |
Зависимость коэффициента шума на частоте 1 кгц при токе эмиттера 1 ма от плотности тока для совокупности различных типов транзисторов ( при сопротивлении генератора 600 ом. [21] |
На рис. 2 показан график, связывающий коэффициент шума с плотностью тока для указанных транзисторов. По оси ординат отложено среднее значение коэффициента шума на частоте 1 кгц при токе эмиттера 1 ма для партии транзисторов данного типа, по оси абсцисс - плотность тока в соответствии с данными таблицы в логарифмическом масштабе. Из этого графика видна явная связь между низкочастотным коэффициентом шума и плотностью тока для рассмотренной совокупности транзисторов различных типов. [22]
В этих условиях для реальных транзисторов ( МП 13 - МП15, МП8 - МЛН, П5 и др.) коэффициент шума, измеренный на частоте 1000 гц, будет иметь значения в пределах от 3 до 25 дб. Следует учитывать, что указываемая в технических условиях на транзисторы величина коэффициента шума является максимально допустимой для данного типа или данной группы. Другими словами, все транзисторы данного типа ( данной группы) будут иметь коэффициент шума меньше, чем это указано в технических условиях. Так, например, для транзисторов типа П9А среднее значение коэффициента шума, измеренного в схеме с общим эмиттером в режиме ик 1 5 в, ig 0 5 ма, составляет 5 дб при максимально допустимом для этой группы 12 дб. Для отдельных образцов приборов этого типа значения коэффициента шума достигают 2 дб. Кремниевые транзисторы типа П101 имеют средний коэффициент шума в режиме иц 1 в, ia 0 2 ма около 15 дб. [23]
При проектировании цепи нелинейной обратной связи необходимо знать величину коллекторного напряжения, соответствующую границе насыщения. Назначать Urp нужно на основе экспериментального исследования транзисторов данного типа. [24]
Классификационные признаки транзисторов по мощности и частотному диапазону отражены в третьем элементе их обозначения, представляющем собой трехзначный номер по сотням. Первый элемент обозначения ( цифра или буква) указывает на исходный материал полупроводника: 1 или Г - германий, 2 или К - кремний. Четвертый элемент обозначения ( буква) указывает на разновидность транзистора данного типа. [25]
Параметры транзисторов одного типа имеют большой разброс. Это связано с недостаточной чистотой исходного материала и элементов, применяемых при изготовлении транзисторов, и недостаточной воспроизводимостью технологического процесса изготовления. В справочниках часто указываются границы разброса, в которые укладываются значения параметров ( В, 1КО и др.) для 80 % транзисторов данного типа. Параметры транзисторов изменяются во времени. [26]
Рассмотрим схему на фиг. Затем выберем Vi, V2 и Уз - Поскольку транзисторы данного типа имеют максимально допустимое коллекторное напряжение 6 в, возьмем V2 возможно меньше этой величины для обеспечения долгого срока службы транзистора. Рассчитаем напряжения и параметры схемы так, чтобы они удовлетворяли стационарным условиям, а затем, зная эти величины, вычислим скорость переключения. [27]
 |
Схема к упражнению 2. [28] |
При проектировании электронных устройств на биполярных транзисторах следует учитывать влияние местной положительной обратной связи, проявляющейся в увеличении входного тока от выходного напряжения. Такая связь в большинстве случаев нежелательна, так как устройство может выйти из режима нормальной работы и даже возбудиться. Во избежание этого рекомендуется использовать транзисторы, у которых входные вольт-амперные характеристики стягиваются в узкий пучок семейства характеристик. Большой разброс семейства входных характеристик свидетельствует о наличии в транзисторе данного типа заметной местной обратной связи. [29]
В момент заряда накопительного конденсатора Cs до напряжения примерно 300 в ток, проходящий в цепи газоразрядного прибора Ль, вызывает срабатывание триггера и отключение базовых цепей транзисторов 7, Г2 от источника тока. Такой способ срыва генерации в мультивибраторе не является наилучшим. Базовые цепи транзисторов оказываются разорванными, и возможны отдельные кратковременные всплески колебаний. Однако при напряжении питания значительно более низком, чем допустимое для транзисторов данного типа, этот способ приемлем и дальнейшее усложнение схемы оказывается неоправданным. [30]
Страницы: 1 2