Cтраница 1
![]() |
Инвертор на комплементарных МОП-транзисторах ( КМОП-инвертор. [1] |
Транзистор Шоттки состоит из биполярного транзистора и диода Шоттки, подключенного параллельно коллекторному переходу. Падение напряжения на диоде Шоттки в прямом направлении меньше, чем на открытом кремниевом р-п переходе, и составляет всего 0 2 - - 0 3 В. Поэтому напряжение на коллекторном переходе не может достичь величины 0 5 В, необходимой для его прямого смещения. [2]
![]() |
Входная характеристика транзистора ( к задачам, ,. [3] |
Транзистор Шоттки представляет собой биполярный транзистор, между базой и коллектором которого включен диод Шоттки. [4]
Отличие транзисторов Шоттки от обычных заключается в том, что базовый электрод закорачивает базу и коллектор с помощью алюминиевого контакта, создающего с n - кремнием барьер Шоттки. [5]
На двухэмиттерных транзисторах Шоттки собираются также бистабильные ячейки памяти ( рис. 4.33), на которых строятся регистры ЦПЭ. Они занимают малую площадь ЦПЭ и имеют высокое быстродействие. [6]
![]() |
Транзистор с нели - [ IMAGE ] Ячейка ТТЛ с транзистором. [7] |
Применяя в ячейках ТТЛ транзисторы Шоттки, получают выигрыш в быстродействии, ставящий этот вариант систем ТТЛ в ряд самых скоростных. [8]
![]() |
Схема УК-триггера SN54S 112 на транзисторах Шоттки. [9] |
Большее быстродействие имеют триггеры на транзисторах Шоттки. На рис. 8.16 показана схема такого триггера. [10]
Параметры этого элемента можно значительно улучшить используя диоды и транзисторы Шоттки. [11]
С этой же целью триггер может быть выполнен на транзисторах Шоттки ( см. гл. [12]
![]() |
Транзистор с нели - [ IMAGE ] Ячейка ТТЛ с транзистором. [13] |
Быстродействие схемы, показанной на рис. 8.34, и схем с транзисторами Шоттки приблизительно одинаково. [14]
В этом компараторе снижение быстродействия, обусловленное насыщением транзисторов, исключено путем применения транзисторов Шоттки в узлах, где возможна их работа в насыщении. [15]