Cтраница 2
Значительное повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности может быть получено введением в схемы базовых элементов транзисторов Шоттки. Транзистор Шоттки представляет собой совокупность биполярного транзистора и диода Шоттки, присоединенного параллельно коллекторному переходу. [16]
Следует отметить, что быстродействие ТТЛ-элементов может быть существенно повышено, если применить здесь диоды или транзисторы Шоттки. [17]
По данным примера 22 рассчитать полное время переключения Тпер и время задержки распространения / зр трехвходового ДТЛ элемента, в котором в качестве входных диодов и диодов смещения используются диоды Шоттки, а усилитель-ограничитель построен на транзисторе Шоттки. Время переключения диодов Шоттки не превышает 0, 1 не, емкость перехода Сп 2 пф, прямое сопротивление гпр 10 Ом; напряжение отпирания ( / т 0 25 В. [18]
Значительное повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности может быть получено введением в схемы базовых элементов транзисторов Шоттки. Транзистор Шоттки представляет собой совокупность биполярного транзистора и диода Шоттки, присоединенного параллельно коллекторному переходу. [19]
Применение быстродействующих схем ТТЛ-типа с парафазным выходом способствует существенному улучшению эффективного быстродействия цифровых устройств, а также позволяет уменьшить число микросхем в 3 - 4 раза. Использование в этих схемах транзисторов Шоттки дает возможность строить маломощные схемы с теми же параметрами быстродействия. [20]
На рис. 2.4 а и б приведены модифицированные варианты базовых схем с транзисторами Шоттки. [21]
Схема, представленная на рис. 3.19, а, обладает повышенной нагрузочной способностью. Благодаря усилению тока в транзисторе Г4 выходное напряжение закрытой схемы меньше зависит от тока нагрузки. Применение диодов и транзисторов Шоттки в схемах элементов ТТЛ-типа ( рис. 3.19, б) позволяет существенно уменьшить либо полностью исключить время рассасывания избыточного заряда в транзисторах схемы и тем самым снизить величину задержки выключения. Выигрыш в быстродействии в этой схеме приводит к некоторому ухудшению статических параметров схемы, в частности уменьшается пороговое напряжение ( до величин 1 0 - 1 2 В) и увеличивается t / blx ( примерно на 0 2 В), что приводит к ухудшению параметров помехоустойчивости. [22]
В настоящее время в качестве диодов, включаемых в цепь обратной связи ключа ( особенно в интегральных схемах), используются диоды Шоттки ( см. § 3 - 4), у которых отсутствует накопление, а значит, и рассасывание неосновных носителей в базе. Поэтому ненасыщенные ключи с диодами Шоттки полностью описываются приведенными выше формулами и обладают максимальным быстродействием. Ключи с диодами Шоттки в цепи нелинейной обратной связи называют транзисторами Шоттки. В случае кремниевых транзисторов относительно малые прямые напряжения диодов Шоттки ( 0 3 - 0 5 В по сравнению с 0 7 - 0 8 В на переходах) позволяют исключить источник смещения Еф, так как при прямом напряжении 0 3 - 0 5 В на коллекторном переходе инжекция практически отсутствует и насыщения не наступает. [23]
Следует отметить, что быстродействие ТТЛ-элементов может быть существенно повышено, если применить здесь диоды или транзисторы Шоттки. Шоттки, позволяет значительно уменьшить среднее время задержки. Для ТТЛ-элементов на транзисторах Шоттки в настоящее время достигнуты значения зср порядка единиц наносекунд. [24]
Быстродействие кремниевых планарных транзисторов в режиме переключения определяется временем рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе и коллекторе при открытых эмиттерном и коллекторном переходах. Для увеличения быстродействия транзисторов кремний легируется золотом, однако при этом снижается время жизни неосновных носителей т, уменьшается коэффициент усиления р и увеличивается обратный ток / кобр - Наиболее эффективным конструктивным способом повышения быстродействия транзисторов является использование диодов Шоттки, шунтирующих коллекторный переход. Транзистор такого типа называется транзистором Шоттки. [25]