Полупроводниковый транзистор

Cтраница 1

Полупроводниковый транзистор представляет собой электронный прибор, состоящий из двух электронно-дырочных переходов. [1]

Плоскостные полупроводниковые транзисторы выполнены в специальных герметизированных корпусах и подсоединяются в общую схему путем пайки гибких выводов электродов. [2]

Появление полупроводникового транзистора относится к периоду, когда радиоламповая электроника переживала свое бурное развитие. Для создания транзисторов нужны были совершенно новые методы производства и пути разработки, потому в первое время они были очень дорогими. [3]

Схема фотореле защиты от опасной концентрации аммиака.| Схема реле концентрации аммиака в воздухе СКА-1 164. [4]

В полупроводниковых транзисторах типов МП-40А и МП-41А с открытым кристаллом с повышением концентрации аммиака сопротивление транзистора падает. На базе этих транзисторов можно создать измерители и аварийные реле. [5]

При совершенствовании полупроводниковых транзисторов были уменьшены их размеры, материалы ( например, фосфид индия и арсенид галлия) и разработаны принципиально новые технологии, дав начало огромной отрасли - электронной индустрии, уровнем развития которой во многом определяется сила любого современного государства. Разумеется, самой значительной областью применения транзисторов остается электронно-вычислительная, или компьютерная, техника. [6]

Существует два типа полупроводниковых транзисторов: ( р-п - ] 9) - типа и ( п - ] 9 - п) - типа, которые различаются последовательностью чередования в монокристалле полупроводников областей с п - или ] типом проводимости. [7]

Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового транзистора ( см. рис. 2.4, б) имеет два участка. [8]

Схемы включения фотодиодов и вольт-амперные характеристики. [9]

Как и в полупроводниковом транзисторе, фототриод имеет коллектор, эмиттер и базу. База обычно служит приемной площадкой излучения. Работает фототриод по принципу обычного полупроводникового триода, в котором роль управляющего тока выполняет попадающее на базу излучение. [10]

Следует заметить, что принцип действия полупроводниковых транзисторов независимо от их типа один и тот же. Различие состоит лишь в выборе полярности присоединяемых к ним источников питания. Средняя область ( слой) транзистора независимо от типа является его базой Б или основанием, а крайние - эмиттером Э и коллектором К. [11]

Прибор УРДМ-1 представляет собой малогабаритный частотомер на полупроводниковых транзисторах. На лицевой панели прибора предусмотрено световое табло сигнализатора, работающего в комплексе с резонансной акустической камерой или электронными пороговыми схемами. [12]

Усиление по напряжению и по мощности, обеспечиваемое полупроводниковыми транзисторами, определяется не только его собственными характеристиками, но зависит также и от параметров схем включения, в частности, от соотношения сопротивлений эмиттера и нагрузки. В отличие от а 1 коэффициенты усиления по напряжению или по мощности полупроводниковых транзисторов характеризуются одинаковым порядком величины и могут составлять десятки тысяч, что обеспечивает эффективное их применение для усиления и генерации электрических колебаний в широком диапазоне. [13]

Магнитно-транзисторный элемент. [14]

Магнитно-транзисторные элементы выполняются магнитных сердечниках с ППГ и полупроводниковых транзисторах. [15]

Страницы: 1 2 3 4