Полупроводниковый транзистор

Cтраница 3

Широкое распространение этих систем обусловлено тем, что элементы ЭВМ способны находиться лишь в одном из двух устойчивых состояний. Например, полупроводниковый транзистор в режиме переключения может быть в открытом или закрытом состоянии, а следовательно, иметь на выходе высокое или низкое напряжение. Ферритовый сердечник в устойчивом состоянии может иметь положительную или отрицательную остаточную магнитную индукцию. Такие элементы принято называть двухпозиционными. Если одно из устойчивых положений элемента принять за 0, а другое - за 1, то достаточно просто изображаются разряды двоичного числа. [31]

Широкое распространение этих систем обусловлено тем, что элементы ЭВМ способны находиться лишь в одном из двух устойчивых состояний. Например, полупроводниковый транзистор в режиме переключения может быть в открытом или закрытом состоянии а следовательно, иметь на выходе высокое или низкое напряжение Ферритовый сердечник в устойчивом состоянии может иметь положительную или отрицательную остаточную магнитную индукцию. Такие элементы принято называть двухпозиционными. Если одно из устойчивых положений элемента принять за 0, а другое - за 1, то достаточно просто изображаются разряды двоичного числа. [32]

Основным элементом транзистора является кристалл германия или кремния, в котором с помощью соответствующих примесей созданы три области ( слоя) с различными типами проводимости. Следует заметить, что принцип действия полупроводниковых транзисторов независимо от их типа один и тот же. [33]

Схема усилителя с обратной связью по току. [34]

Малый шум и высокая временная стабильность при сравнительно простой схеме определяют целесообразность построения на их основе входных каскадов приборных усилителей. В сочетании с каскадами последующего усиления на полупроводниковых транзисторах создается возможность реализации достаточно высоких коэффициентов усиления и выходной мощности, удовлетворяющей требованиям устройств автоматики и измерительной техники. [35]

Хотя за последние годы вышло большое количество работ, посвященных полупроводниковой электронике ( как в периодической печати, так и отдельными изданиями), вопросы, связанные с мощными транзисторами, освещаются относительно мало. В связи с этим выпуск книги, посвященной мощным полупроводниковым транзисторам, может представить интерес. В данной книге рассматривается ряд вопросов, связанных с разработкой, конструкцией и технологией изготовления мощных транзисторов. [36]

Усиление по напряжению и по мощности, обеспечиваемое полупроводниковыми транзисторами, определяется не только его собственными характеристиками, но зависит также и от параметров схем включения, в частности, от соотношения сопротивлений эмиттера и нагрузки. В отличие от а 1 коэффициенты усиления по напряжению или по мощности полупроводниковых транзисторов характеризуются одинаковым порядком величины и могут составлять десятки тысяч, что обеспечивает эффективное их применение для усиления и генерации электрических колебаний в широком диапазоне. [37]

Логические элементы, выполненные на диодах. [38]

Данный пример показывает возможность создания на диодах достаточно сложных логических элементов, выполненных на полупроводниковых транзисторах. [39]

Реле-регулятор используется для автоматического поддержания режимов работы генератора в заданных пределах. На автомобилях Москвич устанавливается контактно-транзисторный реле-регулятор РР 362 ( рис. 38), который состоит из полупроводникового транзистора Т и двух электромагнитных реле-регуляторов напряжения РН и реле защиты РЗ. Транзистор П4БЭ установлен на малой панели корпуса реле-регулятора, а регулятор напряжения и реле защиты - на большой панели. Все приборы реле-регулятора защищены общей крышкой. [40]

К чему приведет открытие высокотемпературной сверхпроводимости, сказать трудно. Оптимисты считают, что мы на пороге новой технической революции, аналогичной той, которая произошла после создания полупроводниковых транзисторов. Темпы развития науки и передачи ее достижений в инженерную практику так велики, что, возможно, первые успехи станут известны до выхода в свет этого издания. Природа высокотемпературной сверхпроводимости не понята до сих пор. [41]

Схемы двухкаскадного усилителя. [42]

Ключевой режим используется и в БПР. Ключевой режим ( или, иначе, режим переключений) используется в подавляющем большинстве бесконтактных электрических аппаратов на полупроводниковых транзисторах: в реле, регуляторах и преобразователях, аппаратах управления двигателями постоянного и переменного тока и др. Некоторые принципы построения схем и особенности включения транзисторов при работе в ключевом режиме см. в гл. [43]

Схемы включения транзисторов. [44]

Транзистором называется полупроводниковый элемент, имеющий три электрода - базу, коллектор и эмиттер. Выбор той или другой схемы определяется характером решаемой задачи. Полупроводниковые транзисторы используются в устройствах телемеханики, передачи данных и автоматики как в аналоговых, так и в цифровых ( дискретных) узлах. В зависимости от области применения транзисторы подразделяются на усилительные, генераторные, преобразовательные и на транзисторы, рассчитанные на работу в импульсных и переключающих режимах. [45]

Страницы: 1 2 3 4