Многоколлекторный транзистор

Cтраница 1

Функциональная схема выпрямителя переменного тока ( а и его эквивалентная схема ( б. [1]

Многоколлекторный транзистор - функциональный полупроводниковый прибор, представляющий собой совокупность нескольких тринисторов. Тринисто-ры объединены в одно ыоно-литное устройство так, что две из четырех областей с чередующимся типом проводимости являются общими для всех тринисторов. В данном приборе, помимо присущего тринистору явления переключения, используются взаимодействия объемных зарядов основных и неосновных неравновесных носителей. Структура двухкол-лекторного устройства показана на рис. 11.15, а. Ее образуют два цилиндрических транзистора, имеющие общий внешний слой р-типа и общий внутренний слой л-типа. [2]

Сечение ( а и план ( б участка ИС с инжекционным питанием.| Полевой транзисторе индуцированным каналом р-типа. [3]

Многоколлекторные транзисторы используются для построения схем ИЛИ-НЕ. [4]

Логические схемы инжекционного типа. [5]

Многоколлекторный транзистор п-р-и-типа применяется в качестве инвертора, а транзистор р-п-р-типа служит либо в качестве нагрузки, либо является источником тока. На входе и выходе схемы не используется ни одного резистора. [6]

Структура многоколлекторного транзистора ( МКТ) ( рис. 17.36, а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиальный n - слой, а коллекторами являются высоколегированные и - слои малых размеров. Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой целью подложку п - типа располагают по возможности ближе к базовому слою. Будучи высоколегированной, она обеспечивает увеличение коэффициента инжекции. [7]

Структура многоколлекторного транзистора ( МКТ) ( рис. 1.60, а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиаль-ный л-слой, а коллекторами являются высоколегированные гГ - слои малых размеров. Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой целью подложку п - типа располагают по возможности ближе к базовому слою. [8]

Подобно многоэмиттерным транзисторам применяются многоколлекторные транзисторы. [9]

Горизонтальная структура позволяет легко осуществить многоколлекторный транзистор. [10]

Схема исключающее ИЛИ на элементах И2Л - типа. [11]

Если при построении функциональной схемы на многоколлекторных транзисторах исходная функциональная схема выполняется на логических ячейках И, НЕ, И-НЕ, то они заменяются многоколлекторными транзисторами, число коллекторов которых равно числу нагрузок на выходе ячейки. [12]

Схема ИЛИ-НЕ может быть построена полностью из многоколлекторных транзисторов. При таком построении схемы ( рис. 3 - 66, в) число нагрузок равно числу коллекторов транзисторов. [13]

Отличие заключается в предоконечном каскаде, где применен многоколлекторный транзистор. По этой же причине средний температурный коэффициент изменения напряжения также уменьшается. [14]

Примеры использования транзисторов в качестве активных сопротивлений нагрузок.| Схема генератора малых токов с температурной стабилизацией. [15]

Страницы: 1 2 3