Многоколлекторный транзистор

Cтраница 2

Нагрузка этого каскада создается одной из коллекторных цепей горизонтального многоколлекторного транзистора Т о. Две другие коллекторные цепи транзистора Т й служат для стабилизации усиления по току самого транзистора Гю и для стабилизации суммарного тока эмиттерных цепей дифференциального каскада. Эмиттерный повторитель построен на комплементарных ( взаимно дополняющих) транзисторах, работающих в режиме класса В. Применение активных сопротивлений нагрузок расширяет диапазон допустимых изменений напряжения источника питания и обеспечивает высокие коэффициенты усиления схемы при малых потребляемых мощностях. [16]

Для реализации функции И-НЕ в И2Л - схеме используют многоколлекторные транзисторы F7 и VT2, дополнительные коллекторные выходы которых выполняют роль независимых входов для последующих И2Л - схем. [17]

К функциональным твердым схемам может быть отнесен рассмотренный в § 11.5 полупроводниковый фильтр, а также многоколлекторный транзистор и полупроводниковая логическая схема ИЛИ - НЕ. [18]

Если какой-либо вход на функциональной схеме соединен со входами нескольких ячеек, то эти входы должны быть развязаны дополнительным многоколлекторным транзистором, подключением к его коллекторам входов указанных ячеек. [19]

Топологический чертеж схемы ЭСЛ.| Схемы инверторов на транзисторах с инжекционным питанием.| Логическая схема ИЛИ - НЕ с инжекционным питанием. [20]

На основе элементарных логических ячеек собирают более сложные цифровые схемы, причем в БИС используют, как правило, многоколлекторные транзисторы, за счет чего количество транзисторов и соединений в схеме уменьшается, а степень ее интеграции повышается. При этом к каждому коллектору присоединяется только один нагрузочный транзистор. [21]

Если при построении функциональной схемы на многоколлекторных транзисторах исходная функциональная схема выполняется на логических ячейках И, НЕ, И-НЕ, то они заменяются многоколлекторными транзисторами, число коллекторов которых равно числу нагрузок на выходе ячейки. [22]

Выходные напряжения компараторов поступают на вход триггера, образуемого перекрестными связями между транзисторами Ti6 и TYI с источником тока в коллекторе, построенном на многоколлекторном транзисторе Tig с самостабилизацией тока. Следует иметь в виду, что второй компаратор обладает приоритетом над первым: когда на его входе 2 появляется запускающий сигнал низкого уровня и транзистор TIS насыщается, в триггере устанавливается определенное состояние ( Tie закрывается, TI. Из этого состояния триггер переходит в новое устойчивое состояние ( Tie открыт и насыщен, а Т и закрыт) только тогда, когда одновременно на неинвертирующих входах 6 и 2 обоих компараторов устанавливается высокий потенциал. При этом инвертор на TJJ запирается, деблокируется вход триггера и перепад напряжения на резисторе Кю, образуемый током коллектора Т & обеспечивает переброс триггера. [23]

Разработан новый тип биполярных логических ИМС - схемы инжекционной логики. В них применяются многоколлекторные транзисторы, причем для каждого используется локальная инжек-ция заряда за счет источника света или диода, смещенного в прямом направлении. Для изготовления схемы требуется пять масок, при этом обеспечиваются приемлемый выход годных схем, достаточная их надежность. В отличие от транзисторной логики с непосредственной - связью базы и эмиттеры транзисторов в этом случае объединены в общие области. Это дает значительную экономию в межэлементных соединениях и, кроме того, обеспечивает непосредственную связь нагрузочных резисторов. Таким образом, существенно экономится площадь кристалла. Например, управляющая логическая схема, содержащая 980 вентилей, размещается на кристалле размером 4X4 мм, а ПЗУ емкостью 1536 бит, содержащее около 1000 вентилей, имеет размер кристалла 3X4 мм. [24]

В Общем случае схемы И2Л состоят из нескольких многоколлекторных П - р-п-транзисторов и многоколлекторного p - n - p - транзистора, выполняющего функции источника питания многоколлекторных транзисторов и называемого инжекторным. Эмиттер инжекторного транзистора называют инжектором и обозначают И. [25]

На рис. 3.56, б, в показаны топология инвертора и его обозначение. Отличительной особенностью элемента И2Л - типа по сравнению с исходной схемой ТЛНС-типа является то, что с целью устранения эффекта перехвата базового тока, который имеет место в схемах ТЛНС-типа, в элементах И2Л - типа каждый переключающийся транзистор питается от индивидуального источника тока в цепи его базы, а проблема равномерного распределения выходного сигнала между параллельно включенными нагрузками решается с помощью многоколлекторного транзистора, причем каждый коллектор в элементе И2Л - типа рассматривается как независимый источник выходного сигнала. [26]

Тем самым входные токи усиливаются и на входном каскаде появляются сигналы, достаточные для переключения ТТЛ-схем. Пример подобного преобразователя приведен на рис. 5 - 23, а. Здесь за счет параллельного включения коллекторов двух последовательно включенных многоколлекторных транзисторов ток инжекции усиливается настолько, что обычный инвертор выходной схемы ТТЛ переключается достаточно уверенно. На выходе преобразователя получаются стандартные ТТЛ-уровни. [27]

На основе транзисторов с ин-жекционным питанием реализуется целый класс ИМС логики. Инвертор с несколькими развязанными выходами р еализуется на многоколлекторном транзисторе. [28]

Однако, как видно из (3.170), функция у не меняется при инвертировании входных сигналов, поэтому в данной схеме эти транзисторы не нужны. Во многих случаях второй метод оказывается более наглядным, так как в нем каждый логический элемент И-НЕ, НЕ заменяется с самого начала многоколлекторным транзистором. Это позволяет быстрее подсчитать общее число транзисторов и их коллекторов и быстрее построить функциональную схему на многоколлекторных транзисторах. [29]

Горизонтальная структура позволяет легко осуществить многоколлекторный транзистор. Коэффициент передачи тока для каждого коллектора будет, конечно, в соответствующее число раз меньше, чем для единого коллектора, но все коллекторы будут действовать синхронно, а нагрузки во всех коллекторных цепях будут электрически разделены. Многоколлекторный транзистор оказывается удобным для некоторых цифровых интегральных микросхем. [30]

Страницы: 1 2 3