Быстродействующий транзистор

Cтраница 1

Быстродействующие транзисторы n - типа в матрицах ОЗУ имеют несколько худшие показатели по скорости по сравнению с биполярными транзисторами, однако матрицы, построенные на них, имеют меньшие стоимость и рассеивающую мощность. [1]

Существующие быстродействующие транзисторы обеспечивают получение частот счета до 10 Мгц. [2]

Рекомендуется использовать быстродействующие транзисторы, характеризующиеся минимальным накоплением носителей. Следует избегать применения дискретных емкостей, за исключением необходимых для стабилизации компаратора. Минимальный коэффициент усиления тоже улучшает время восстановления после перегрузки. Конечно, он должен быть достаточно высоким, чтобы удовлетворять уравнению (3.65) при всех рабочих режимах. [3]

В связи с появлением новых быстродействующих транзисторов и диодов и разработкой ряда схемных решений, уменьшающих или исключающих полностью динамические потери ( см. § 9 - 4), рассеиваемая в транзисторе и диоде мощность даже на частотах 2 - 4 кгц невелика и масса радиатора мало отличается от массы самого транзистора и диода. При этих условиях выбор оптимальной частоты практически целиком определяется массовыми характеристиками магнитных элементов. [4]

Одним из важнейших параметров высокочастотных и быстродействующих транзисторов является остаточное сопротивление коллектора в режиме насыщения. Чем ниже это сопротивление, тем лучше работает транзистор в схемах переключения. В пленарных транзисторах в отличие от сплавных это сопротивление определяется размерами и проводимостью толщи коллекторной области. [5]

Оптронный блокинг-генератор. а - схема. б - диаграммы работы. [6]

Формирование сигнала на Ru определяется быстродействующим транзистором. [7]

Тизм, может быть снижена путем использования быстродействующих транзисторов или введением паразитного триггера, как указывалось при рассмотрении блок-схемы частотомера. [8]

Временные параметры выключения высоковольтных биполярных транзисторов. [9]

Необходимость применения дополнительного активного элемента Как правило, низковольтные быстродействующие транзисторы имеют еще один недостаток - высокий ток утечки в закрытом состоянии, что ухудшает характеристики всего ключа. [10]

В цепь связи транзисторного фотоприемника и нагрузочного резистора RH введен быстродействующий транзистор по схеме с общей базой. [11]

Практика разработки ключевых транзисторов средней и большой мощности показывает, что быстродействующие транзисторы по сравнению с низкочастотными транзисторами, как правило, допускают меньшие перегрузки по напряжению и по току, более склонны к вторичному пробою и имеют ряд других особенностей, усложняющих их эксплуатацию. Поэтому, несмотря на разработку в последние годы усовершенствованных образцов быстродействующих ключевых транзисторов ( 1Т806, 1Т906, 2Т803 и др.), низкочастотные транзисторы ( 1Т403, П-215, П-217, П-210) продолжают широко использоваться в преобразовательной технике, позволяя создавать дешевые и надежно работающие изделия. [12]

Частично перечисленные проблемы решаются за счет использования диодных оптронов совместно с усилительным быстродействующим транзистором, при этом выходной ток оптрона является управляющим. [13]

Кроме основного назначения, прибор Л2 - ЗЗА позволяет измерять временные параметры маломощных быстродействующих транзисторов р - п-р и п-р - n - типов, такие как времена задержки включения и выключения, нарастания, спада и рассасывания. [14]

Кроме основного назначения, прибор Л2 - 35А позволяет измерять в автоматическом режиме временные параметры маломощных быстродействующих транзисторов р-п - р а п-р - n - типов, такие как времена задержки включения и выключения, нарастания, спада и рассасывания. [15]

Страницы: 1 2