Cтраница 2
Это влияние ощутимо сказывается либо при работе на повышенных частотах ( свыше 3 - 5 кгц), либо при использовании быстродействующих транзисторов ( с тт 10 мксек), особенно в самовозбуждающихся схемах непрерывного управления с активной нагрузкой. [16]
Поэтому снижение именно динамических потерь обеспечивает резкое повышение надежности работы изделия. Это следует учитывать даже при использовании быстродействующих транзисторов, так как они имеют повышенную склонность к вторичному пробою. [17]
Ионное легирование позволяет формировать как базовые, так и эмиттер-ные слои. Как упоминалось в § 2.1, для быстродействующих транзисторов целесообразно использование эмиттера из мышьяка. Ионное легирование эмиттера мышьяком обеспечивает приемлемую воспроизводимость концентрации примеси и профиля легирования. [18]
Величина динамических потерь определяется прежде всего постоянной времени транзистора тт, а в конверторах - дополнительно постоянной времени дпода тд. Поэтому наиболее решающим способом уменьшения динамических потерь является применение быстродействующих транзисторов и диодов. [19]
В настоящей главе рассматривается ряд различных способов такого сочетания диодных логических элементов и транзисторных усилителей напряжения. При этом используются транзисторы типа р - п - р, так как большинство быстродействующих транзисторов принадлежит к этому типу. [20]
Данный режим управления используется также в интегральных BIMOS-модулях типа каскод. В таком ключе сигнал управления подается не на основной высоковольтный транзистор 1 / Т1: а на вспомогательный низковольтный и быстродействующий транзистор VT2, включенный последовательно в эмиттерную цепь основного. Часто в качестве Биполярный ключ с эмит-низковольтного управляющего транзистора ис - терным управлением пользуют быстродействующий МДП-ключ При открывании VTZ в базу основного транзистора поступает отпирающий ток, подключая нагрузку к источнику питания. При запирании VT2 происходит обрыв цепи эмиттера силового транзистора VT, и коллекторный ток последнего до полного рассасывания заряда в базовой и высокоомный коллекторной области замыкается через коллекторный переход VTi, диод VD и источник Vo Скорость выключения / Тл существенно возрастает, так как запирающий ток базы равен току коллектора. Так как на этапе запирания эмиттерная цепь силового ключа оборвана, происходит расширение границ ОБР до максимальных границ, определяемых максимальным током коллектора и напряжением пробоя коллекторного перехода. [21]
Транзистор КТ839А ( с большим максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер) открывается и закрывается замыканием и размыканием его эмиттерной цепи быстродействующим транзистором КТ972А, что предотвращает возникновение вторичного пробоя и уменьшает длительность переключения эмиттерного транзистора. Именно это и позволяет изменять выходное напряжение в широком интервале без переделки импульсного трансформатора. [22]
Значимость погрешности от напряжения смещения транзисторного ключа уменьшается пропорционально увеличению опорного напряжения. Так как могут быть изготовлены быстродействующие транзисторы для переключения аналоговых сигналов с эмиттерным напряжением пробоя около 30 В, обычный предел для опорного напряжения составляет 20 - 25 В. [23]
Kromer) и Жореса Алферова, предложивших использовать гетероструктуры, - композиции полупроводников с различными по ширине запрещенными зонами. В этом случае для электронов, движущихся в узкозонном полупроводнике, граница между составляющими ( гетеропереход) играет роль потенциального барьера. Два гетероперехода с расположенным между ними тонким слоем полупроводника с узкой запрещенной зоной образуют квантовую яму, где движение электрона ограничено с двух сторон. Одно из главных применений квантовых ям связано с созданием на их основе новых типов полупроводниковых приборов, в частности быстродействующих транзисторов и лазеров. Лазеры на квантовых ямах можно перестраивать по длине волны: с уменьшением размеров ямы частота, генерируемая лазером, возрастает. [24]