Переключающий транзистор

Cтраница 2

Блок-схема дискретной цифровой системы регулирования электропривода. [16]

Решающие цифровые устройства выполнены на стандартных логических элементах, использующих высокоскоростные переключающие транзисторы. [17]

Поперечное сечение а - Si. Н - фотодиода ( Л, соединенного последовательно с блокирующим диодом ( Я In О. [18]

Эта структура была разработана для того, чтобы избежать наличия многочисленных соединительных проводов и переключающих транзисторов, которые обычно требуются в крупных линейных фотодатчиках. [19]

Транзисторно-транзисторная логика.| Структ. ра и электраческаа схема лвгического элемента инъекционной логики. [20]

Особенностью ее является совмещение коллекторной области инжек-ционной части ( транзистор Т1) с базовой областью переключающего транзистора Т2 и базы инжектора - с эмиттером переключающей части схемы. [21]

Уменьшение времени задержки в схемах ТТЛ-типа до 3 не может быть обеспечено введением входного многоэмиттерного и переключающих транзисторов Шоттки. Шунтирование их коллекторных переходов диодами Шоттки способствует существенному ограничению степени насыщения транзисторов и повышению быстродействия схем. [22]

Схемы двухтактных преобразователей с самовозбуждением. [23]

Однотактный преобразователь постоянного напряжения представляет собой релаксационный генератор с положительной обратной связью, выполненный на одном переключающем транзисторе. Трансформатор в однотактном преобразователе работает с подмагничиванием, что приводит к увеличению в нем потерь. Ввиду этого однотактные преобразователи напряжения, находят ограниченное применение в источниках электропитания. [24]

Имеет защиту от пере - и недонапряжений на выходе, блокировку от двойного импульса, защиту от короткого замыкания переключающего транзистора. [25]

Для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения применяют П - образные фильтры, начинающиеся с емкости, так как емкостный фильтр обеспечивает лучшие режимы работы переключающих транзисторов и минимальное искажение фронта выходного напряжения. [26]

Нетрудно видеть, что и при синусоидальной форме модулирующего напряжения можно получить такие же результаты, если не считаться с увеличением мощности, потребляемой цепями управления переключающих транзисторов. [27]

Схемы третьей группы получаются из схем магнитных усилителей с внутренней обратной связью путем замены диодов в цепях рабочих обмоток переключателями на триодах и источника питания переменного тока на источник постоянного тока. Управление переключающими транзисторами осуществляется от дополмительного маломощного автогенератора прямоугольных колебаний. [28]

Схемы третьей группы получаются из схем машинных усилителей с внутренней обратной связью путем замены диодов в цепях рабочих обмоток переключателями на триодах и источника питания переменного тока на источник постоянного тока. Управление переключающими транзисторами осуществляется от дополнительного маломощного автогенератора прямоугольных колебаний. [29]

В результате введения в конструкцию биполярного транзистора барьера Шотки ( рис. 3.32) время выключения снижается до значений, не превышающих 0 1 не. В переключающих транзисторах без барьера Шотки время выключения обычно больше 10 не. [30]

Страницы: 1 2 3 4