Cтраница 3
Для управления тиристорами в трехфазных цепях можно создать схемы, подобные схеме рис. 5.17, а, состоящие из трех сердечников с рабочими обмотками и нагрузками, включенными через развязывающие трансформаторы. Если базовые цепи переключающих транзисторов питать напряжением двух параллельно включенных вторичных обмоток, принадлежащих соседним фазам, то рабочий полупериод может быть растянут до 300 ( рис. 5.17, в) за счет укорочения управляющего полупериода. [31]
Для управления тиристорами в трехфазных цепях можно создать схемы, подобные схеме рис. 5.17, а, состоящие из трех сердечников с рабочими обмотками и нагрузками, включенными через развязывающие трансформаторы. Если базовые, цепи переключающих транзисторов питать напряжением двух параллельно включенных вторичных обмоток, принадлежащих соседним фазам, то рабочий полупериод может быть растянут до 300 ( рис. 5.17, в) за счет укорочения управляющего полупериода. [32]
Простейшая схема для формирования пилообразного напряжения приведена на рис. 3.5 а. Здесь R и С - времязадающие элементы, а Т - переключающий транзистор. В начальном состоянии транзистор Т открыт и напряжение на конденсаторе минимально. Для получения прямого хода в цепь базы подается управляющий импульс отрицательной полярности, транзистор запирается и конденсатор С заряжается через резистор R. [33]
При определении основных параметров преобразователей необходимо знать ток и мощность нагрузки. Эти два параметра позволяют определить входное напряжение преобразователя и коллекторный ток переключающих транзисторов. Входное напряжение должно быть меньше половины максимально допустимого напряжения на транзисторах. [34]
Разработанная сенсорная структура показана на рис. 7.1.10. На рисунке представлены компоненты датчика: сенсорная пластина, световой экран, стержневые линзы, две трубчатые вольфрамовые лампы и волноводная пластина. Каждый из этих кристаллов с ИС содержит 128-разрядный сдвиговый регистр и 128 переключающих транзисторов. Контакты к кристаллу ИС и соответствующие контакты фотодетектора соединяются эластомерными разъемами, изготовленными из пленки силиконового каучука толщиной 0 2 мм, которая пронизывалась углеродными волокнами перпендикулярно поверхности. Новый метод соединения позволяет собирать очень компактные сенсорные платы и при этом отпадает необходимость в проволочной разводке. [35]
Разработанная сенсорная структура показана на рис. 7.1.10. На рисунке представлены компоненты датчика: сенсорная пластина, световой экран, стержневые линзы, две трубчатые вольфрамовые лампы и волноводная пластина. Каждый из этих кристаллов с ИС содержит 128-разрядный сдвиговый регистр и 128 переключающих транзисторов. Контакты к кристаллу ИС и соответствующие контакты фотодетектора соединяются эластомерными разъемами, изготовленными из пленки силиконового каучука толщиной 0 2 мм, которая пронизывалась углеродными волокнами перпендикулярно поверхности. Новый метод соединения позволяет собирать очень компактные сенсорные штаты и при этом отпадает необходимость в проволочной разводке. [36]
![]() |
Схема автоматического регулирования усиления предварительного усилителя. [37] |
Такое количество транзисторов вызвано тем, что при пуске и остановке двигателя требуется величина тока возбуждения, достигающая 100 а, в то время как максимальное значение тока коллектора транзистора типа 2N514 равно 25 а. Следует принимать специальные меры предосторожности против неравномерного деления тока между этими мощными переключающими транзисторами. [38]
![]() |
Функциональная схема аналогового вычислителя дальномера. [39] |
Если промежуток времени между двумя соседними пусковыми импульсами меньше постоянной времени прибора, происходит усреднение импульсов. Перед новой последовательностью пускового и стопового импульсов конденсатор полностью разряжается при помощи двух ждущих мультивибраторов 8, 9 и переключающего транзистора. Если амплитуда отраженного сигнала ниже установленного уровня, ждущие мультивибраторы 2 и 3 устанавливают мультивибратор 6 в первоначальное состояние. [40]
![]() |
Распределение примесей в дрейфовом транзисторе, изготовленном методом двойной диффузии. [41] |
В связи с тем, что транзисторы могут выполнять различные функции, их принято различать по назначению. Транзисторы, предназначенные для усиления электрических сигналов, называются усилительными, транзисторы, предназначенные для генерации колебаний, - генераторными, в отдельную группу выделяют еще и переключающие транзисторы. [42]
Совершенствование транзисторов идет по пути повыше ния рабочей частота и увеличения мощности. В настоящее время в СССР и за рубежом уже выпускаются маломощные усилительные трашшетвры с граничной частотой / т - свыше 1000 МГц н мощностью рассеивания до ватта, а также переключающие транзисторы с временем переключения порядка десяти наносекунд. [43]
В качестве исходного материала берется низкоомный материал, вытравливаются лунки, затем с помощью диффузии ( см. ниже) образуют эмиттер и коллектор. Низкоомная база, выходящая на поверхность, позволяет сделать хороший контакт, тонкий коллектор - малое г к и RH, a припайка его непосредственно к теплоотводу - малое 6 ЕКДК - высокоскоростной переключающий транзистор. [44]
Селектор между формирующей схемой и счетчиком большей частью состоит из элементов И, как это обычно принято в логических схемах. При конструировании селектора руководствуются прежде всего требованием, чтобы время срабатывания составляло не более, чем некоторую часть интервала между импульсами. Простые схемы с сопротивлениями или диодами в базе переключающего транзистора удовлетворяют этому требованию для значений времени срабатывания, не менее чем порядка 100 нсек ( фиг. Для времени срабатывания 10 нсек и менее предпочитаются схемы, в которых транзисторы не выводятся из состояния насыщения и паразитные емкости должны разряжаться через высокие сопротивления. И, в основу которого положен принцип переключения тока. [45]