Диффузионно-сплавной транзистор
Cтраница 1
Диффузионно-сплавной транзистор изготовляется комбинацией методов диффузии и сплавления. [1]
Диффузионно-сплавной транзистор - транзистор, изготовленный путем введения примесей с помощью процессов диффузии и сплавления. [2]
Диффузионно-сплавные транзисторы имеют сплавной эмиттерный переход и диффузионный коллекторный и получаются в результате вплавления в мовокристалличе-скую пластинку навески из сложного сплава, содержащего в разных концентрациях донорную и акцепторную примеси, которые обладают различными коэффициентами диффузии. [4]
 |
Этапы изготовления диффузионно-сплавного транзистора. [5] |
Вариантом ыезатехнологии является изготовление диффузионно-сплавных транзисторов. [6]
К таким транзисторам относится, например, диффузионно-сплавной транзистор типа П416, имеющий толщину активной области базы 2 мкм и, как следствие, частоту / V порядка 100 - 200 Мгц, но толщину высоко-омного слоя в коллекторе 70 - 80 мкм и, как следствие, времена рассасывания 300 - 500 нсек. Более современные типы транзисторов, такие, как ГТ31Г и др., выполнены специально для работы в насыщенных импульсных схемах и имеют малые времена рассасывания. [7]
Разработанные в СССР в 1957 - 1958 гг. массовые диффузионно-сплавные транзисторы малой и средней мощностей совместно с выпускаемыми ранее сплавными транзисторами позволили создать новые виды отечественной радиоаппаратуры целиком на полупроводниковых приборах. [8]
Выигрыш в быстродействии, даваемый лавинным режимом работы, в диффузионно-сплавных транзисторах существенно меньше, чем в сплавных. Действительно, из сравнения рис. 4 и 6 видно, что при малых обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М 0 7) в диффузионно-сплавных транзисторах левая граница запирающего слоя zn смещается в большей степени, чем в сплавных, а это означает более резкий спад граничной частоты / г с током. При больших же обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М - 0 7) zn смещается в большей степени в сплавных транзисторах, что означает более резкое увеличение т с током. Более того, как уже отмечалось, реально в диффузионно-сплавных транзисторах при больших напряжениях смещения может иметь место даже уменьшение 1т с ростом тока. [9]
 |
Зависимости положения левой границы - - запирающего слоя от 1 - 1М для различных токов. [10] |
Увеличивающийся с ростом тока объемный заряд дырок вычитается из заряда ионизированных акцепторов исходного полупроводника Л рисх, что приводит к заметному сдвигу перехода вправо аналогично тому, как увеличивается ширина базы в диффузионно-сплавных транзисторах с уменьшением степени легирования исходного полупроводника. При больших М ( М - - voo) рост тока происходит, в основном, в-результате умножения носителей в переходе; объемные заряды образующихся при этом электронов и дырок компенсируют друг друга и не вызывают смещения инверсной точки ZQ. Небольшой же сдвиг перехода вправо и в этом случае связан с наличием нескомпенсированного ( вблизи максимума поля) компонента тока дырок, дошедших от эмиттерного перехода, только теперь вклад этого компонента в общий ток существенно меньше. [11]
Например, базовая область - диффузионная, а коллектор и эмиттер - сплавные. Диффузионно-сплавные транзисторы имеют большое значение f / кэнас и малые пробивные напряжения переходов кБОпроб и ЭБО проб но у них более высокая рабочая частота, чем у сплавных приборов. Транзисторы с большими рабочими токами ( до десятков ампер) и частотой несколько десятков мегагерц получают методом сплавления - диффузии, так как этот метод позволяет создавать приборы, превосходящие сплавные по частоте. [12]
Выигрыш в быстродействии, даваемый лавинным режимом работы, в диффузионно-сплавных транзисторах существенно меньше, чем в сплавных. Действительно, из сравнения рис. 4 и 6 видно, что при малых обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М 0 7) в диффузионно-сплавных транзисторах левая граница запирающего слоя zn смещается в большей степени, чем в сплавных, а это означает более резкий спад граничной частоты / г с током. При больших же обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М - 0 7) zn смещается в большей степени в сплавных транзисторах, что означает более резкое увеличение т с током. Более того, как уже отмечалось, реально в диффузионно-сплавных транзисторах при больших напряжениях смещения может иметь место даже уменьшение 1т с ростом тока. [13]
Выигрыш в быстродействии, даваемый лавинным режимом работы, в диффузионно-сплавных транзисторах существенно меньше, чем в сплавных. Действительно, из сравнения рис. 4 и 6 видно, что при малых обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М 0 7) в диффузионно-сплавных транзисторах левая граница запирающего слоя zn смещается в большей степени, чем в сплавных, а это означает более резкий спад граничной частоты / г с током. При больших же обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М - 0 7) zn смещается в большей степени в сплавных транзисторах, что означает более резкое увеличение т с током. Более того, как уже отмечалось, реально в диффузионно-сплавных транзисторах при больших напряжениях смещения может иметь место даже уменьшение 1т с ростом тока. [14]
Заметим, что приведенные соотношения справедливы только пока запирающий слой лежит в пределах участка с линейным изменением концентрации ионов примеси. Как известно, при больших обратных смещениях для плавного перехода не может быть принято линейное приближение. В [15] показано, что в этом случае переход может рассматриваться как ступенчатый. Это означает, что результаты, полученные выше для коллекторных переходов сплавных транзисторов, применимы и к коллекторным переходам диффузионно-сплавных транзисторов при больших обратных смещениях с той лишь разницей, что у первых высокоомной является область базы, а у вторых - коллектора. Следовательно, у диффузионно-сплавных транзисторов при больших обратных смещениях на коллекторном переходе с ростом плотности Протекающего тока должно наблюдаться расширение перехода при практически неизменной ширине базы, Что приведет к падению граничной частоты усиления по Току. [15]
Страницы: 1 2