Cтраница 2
Заметим, что приведенные соотношения справедливы только пока запирающий слой лежит в пределах участка с линейным изменением концентрации ионов примеси. Как известно, при больших обратных смещениях для плавного перехода не может быть принято линейное приближение. В [15] показано, что в этом случае переход может рассматриваться как ступенчатый. Это означает, что результаты, полученные выше для коллекторных переходов сплавных транзисторов, применимы и к коллекторным переходам диффузионно-сплавных транзисторов при больших обратных смещениях с той лишь разницей, что у первых высокоомной является область базы, а у вторых - коллектора. Следовательно, у диффузионно-сплавных транзисторов при больших обратных смещениях на коллекторном переходе с ростом плотности Протекающего тока должно наблюдаться расширение перехода при практически неизменной ширине базы, Что приведет к падению граничной частоты усиления по Току. [16]
Сплавно-диффузионный транзистор, или сплавной транзистор с последующей диффузией, также изготавливается методом диффузии и сплавления. Материал, используемый для сплавления, содержит примеси как р -, так и я-типа. Переход эмиттер-база создается обычным методом сплавления, а базовая область образуется в результате диффузии примеси из расплава внутрь кристалла. В этом заключается различие между диффузионно-сплавными и сплавно-диф-фузионными. В этом случае, так же как и в случае диффузионно-сплавных транзисторов, между базой и коллектором может находиться область с собственной проводимостью. [17]