Испытуемый транзистор

Cтраница 1

Коллекторные характеристики схемы с общим эмиттером. [1]

Испытуемый транзистор находится в режиме, соответствующем этой точке, в течение 300 мксек затем происходит возвращение в точку 1; в режиме, соответствующем точке /, транзистор находится в течение периода 14 мсек. [2]

Испытуемый транзистор ИТ включают по схеме с общим эмиттером по переменному току и общей базой по постоянному току. Источники И [ и И2 обеспечивают режим работы измеряемого транзистора по постоянному току. Напряжение высокой частоты от генератора высокой частоты ГВЧ через разделительный конденсатор С3 подводится к эмиттерной цепи измеряемого транзистора ИТ. [3]

Включение испытуемого транзистора осуществляется по схеме с общим эмиттером. На базу Тисп подается напряжение смещения с сопротивления Кщ и переменное напряжение от генератора. При измерении коллекторного тока ( положение переключателя Я ] р) параллельно измерительному прибору мА подключается сопротивление шунта Rn, подобранное так, что чувствительность прибора составляет 6 - 8 ма на всю шкалу. Полное отклонение стрелки измерительного прибора вызывается подачей на вход вольтметра переменного напряжения 0 05 в с частотой 2 5 кгц. Если чувствительность меньше указанного значения, то необходимо применить транзистор с большим значением Р или уменьшить сопротивление Rw. В приборе применены стандартные узлы и детали: микроамперметр типа М49 с пределом измерений 300 мка, микроамперметр типа М494 с пределом измерений 100 мка и переключатель / Л на четыре положения. [4]

Перед тем как подсоединить испытуемый транзистор, ручку переключателя Я, необходимо поставить в положение 1 ( калибровка), затем поворотом ручки потенциометра R2, сопряженного с выключателем Вк, включить шунт и дальнейшим ее вращением установить стрелку прибора в правое крайнее положение, соответствующее максимальному значению измеряемой величины. [5]

При измерении коэффициента усиления испытуемый транзистор включают по схеме с общим эмиттером. Усилительные свойства транзистора определяются отношением приращений токов коллектора и базы. [6]

Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.| Входные характеристики транзистора. а - схема испытаний. 6 - характеристика бД б. э. [7]

Во избежание излишнего нагрева испытуемого транзистора рекомендуется включать батарею на короткое время. [8]

Схемы измерения параметров. [9]

Принципиальная схема измерения параметра Л22 у испытуемых транзисторов приведена на рис. 6.13 а. Измерение ведется в режиме холостого хода по переменному току на входе при частоте 700 гц. Откалиброван-ное напряжение от генератора подается между коллектором и базой проверяемого транзистора. Шкала индикатора програ-дуирована в микросим. [10]

Внешний вид прибора Л2 - 1. [11]

Обратный трк коллекторного перехода / ко испытуемого транзистора при разомкнутой цепи эмиттера измеряется по схеме рис. 6.13 в микроамперах. [12]

Измерение в схе - - - - - - - - 1. [13]

Источником погрешности является также коллекторная емкость испытуемого транзистора, из-за которой затрудняется выполнение условий короткого замыкания коллекторной цепи. [14]

Порядок подачи напряжений и токов на электроды испытуемого транзистора строго определен и не зависит от манипуляций оператора. При любом переключении всегда первой подключается база, с задержкой 15 - 20 мс - эмиттер и через следующие 15 - 20 мс - коллектор. Выключение происходит в обратном порядке. [15]

Страницы: 1 2 3 4