Испытуемый транзистор

Cтраница 2

Схема измерения Л2 ] э и временные диаграммы напряжения. [16]

Это приводит к тому, что коллектор испытуемого транзистора будет иметь потенциал земли. В этом случае напряжение заданной величины UKa подводится к транзистору от источника постоянного напряжения. [17]

Полная блок-схема для измерения Los. [18]

Импульсы напряжения t / бэнас на базе испытуемого транзистора измеряются пиковым вольтметром. [19]

Снижение напряжения питания приводит к уменьшению тока базы испытуемого транзистора ( при неизменных сопротивлениях резисторов 3э - RAO или RM - 42) - Это уменьшение компенсируется повышением чувствительности измерительной системы, включенной в цепь коллектора. Таким образом, калибровка прибора перед измерениями сопротивлений и коэффициентов усиления транзисторов при постоянном токе устраняет дополнительные погрешности, вносимые изменением напряжения питающей батареи. [20]

При открывании крышки пульта срабатывает блокировка и с испытуемого транзистора снимаются питающие напряжения. [21]

Порядок подключения источников КБ и / Э к электродам испытуемого транзистора строго определен и не зависит от манипуляций оператора, что исключает выход транзистора из строя при включении его в измерительную схему. [22]

Переменное синусоидальное напряжение частотой 1000 Гц через устройство коммутации поступает на испытуемый транзистор, режим работы которого устанавливается постоянными составляющими напряже-ния и тока. Усиленное напряжение, пропорциональное измеряемому параметру, детектируется синхронным детектором. [23]

Другой принципиальной трудностью является то, что предотвратить возникновение паразитной генерации испытуемых транзисторов довольно сложно. Явление паразитной генерации наблюдается в основном при испытании высокочастотных транзисторов и заключается в том, что при подаче электрического режима на испытуемый транзистор из-за наличия резонансных контуров и цепей обратной связи, образованных токопроводящими проводами ( в том числе и выводами самого транзистора), транзистор генерирует высокочастотные колебания. [24]

Схема электрическая принципиальная прибора радиолюбителя. [25]

При измерении статического коэффициента передачи тока п2) Э в цепи базы испытуемого транзистора переменными резисторами R4 и R5 устанавливают определенный ток 1Б: 25, 50 или 100 мкА на пределе 0 1 мА для маломощных и 0 5, 1 мА на пределе 1 мА для мощных транзисторов. Ток в цепи коллектора 1К измеряют на пределе 1К10 мА для маломощных и на пределе 1К100 мА для мощных транзисторов. Максимальные значения статического коэффициента передачи тока будут соответственно равны 400, 200, 100 для маломощных и 200, 100 для мощных транзисторов. [26]

Источник коллекторного напряжения имеет защиту от перегрузки, которая одновременно является защитой испытуемого транзистора при неправильном выборе полярности. Наличие перегрузки индицируется лампочкой. [27]

Отрицательный импульс от импульсного генератора запускает переключатель, подключающий генератор тока к коллектору испытуемого транзистора. В течение остальной части периода ток коллектора шунтируется переключателем. Амплитуда импульса должна быть достаточной для того, чтобы управлять переключателем. Транзистор включен в цепи обратной связи управляющего усилителя с дифференциальным входом. [28]

Пределы измерения миллиамперметра выбирают исходя из возможных значений статического коэффициента передачи тока п2 Э испытуемых транзисторов. [29]

Для измерения Вст переключатель П1 ставят в положение 21, а пареключатель П2 - в положение р-п - р или я - p - n в зависимости от вида испытуемого транзистора. [30]

Страницы: 1 2 3 4