Германиевый транзистор

Cтраница 2

Высокочастотные маломощные германиевые транзисторы обычно изготовляются диффузионно-сплавным методом, который позволяет получить / а 100 ч - 500 Мгц, С / э 10 - г - 20 в, 1К 50 100 ма, 1КО л; 5 - г - 10 жка. При помощи пленарной технологии получают маломощные высокочастотные транзисторы с / 0 до 500 Мгц и мощностью рассеяния до 1 вт, а также мощные транзисторы с рабочими частотами в несколько десятков мегагерц, рабочими напряжениями в несколько сотен вольт, токами в несколько десятков ампер и рассеиваемой мощностью в несколько сотен ватт. [16]

Германиевый транзистор МНТ-2101 фирмы Solilron Devices США, имеет сопротивление насыщения менее 4 10 - 4 ом. Он, по-видимому, также изготовлен с помощью сплавления. [17]

Выбираем высоковольтный германиевый транзистор МП20А, который характерен сравнительно бЪлышми максимально допустимыми напряжениями коллекторного и эмиттерного переходов. [18]

Температурный дрейф тока и напряжения в точках срабатывания ( а и отпускания ( б в случае кремниевых транзисторов. [19]

Для германиевых транзисторов таких экстремумов может быть два; один из них ( максимум) обусловлен увеличением теплового тока при повышенной температуре. [20]

Случаи неправильного выбора. [21]

Для германиевых транзисторов на длительность паузы 7V оказывает влияние еще и ток / ко в базе запертого транзистора. [22]

У германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль при отрицательных температурах. [23]

Выходные характеристики транзистора и временная диаграмма напряжения коллектора. [24]

Для германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль лишь при отрицательных температурах. [25]

Для германиевых транзисторов из-за сильной зависимости у б от температуры, связанной с влиянием нулевого тока коллектора, температурная нестабильность имеет максимальное значение в области повышенных температур. [26]

Для германиевых транзисторов 1 / р равно 1 - 2 мВ, зато 1р порядка 1 мкА при комнатной температуре. [27]

Для германиевых транзисторов напряжение закрывания t / бэо близко к нулю. [28]

У германиевых транзисторов, как правило, преобладает тепловая составляющая тока, у кремниевых - ток утечки, так как их тепловой ток на несколько порядков ниже, чем у германиевых транзисторов. Численные значения этих токов, обычно при температуре 20 С, и их температурные зависимости приводятся в паспортных - данных транзисторов. [29]

Для германиевых транзисторов допускается максимальная температура коллекторного перехода tj 75 - 85 С, а для кремниевых t, 120 - 150 С. [30]

Страницы: 1 2 3 4