Германиевый транзистор

Cтраница 4

Для германиевых транзисторов Y 6 сильно зависит от температуры и имеет максимальное значение а области повышенных температур. Вых т Уиб ( Т0с макс - Тос мин) ЛомаксЯдл ( 1 - п) ( 1 3 1 7 2 1) 10 - 3 ( 55 - 25) 10 8 - Ю 6 - 104 - 0 695 ( 1 - 0 695) 0 176 в, что ниже обусловлено его заданием. [46]

Для германиевых транзисторов Lp - 0 3 мкм, поэтому обычно w 0 3 мкм. [47]

С германиевыми транзисторами выходное напряжение преобразователя будет больше примерно на 1 В. [48]

Смещение проходных статических характеристик транзистора при изменении температуры. сплошная линия - для транзистора П15, пунктир - транзистора П191. [49]

В германиевых транзисторах при температуре 20 С значение обратного тока коллектора обычно находится в пределах 1 - 7 - 10 мка. В кремниевых транзисторах он приблизительно на два порядка ниже. Величина / ко примерно экспоненциально зависит от изменений температуры и практически не зависит от режима работы транзистора. [50]

Если сравнивать кремниевые и германиевые транзисторы, то следует отметить преимущества кремниевых: токи / на 2 - 3 порядка меньше, чем в германиевых, более высокие рабочие температуры, высокие пробивные напряжения. Однако кремниевые транзисторы, как правило, имеют худшие параметры ц, / т и RH, чем германиевые. Кремниевые транзисторы более перспективны с точки зрения исходного материала: запасы кремния в природе практически неограниченны, тогда как запасы германия незначительны и стоимость его высока. [51]

Схематическое устройство транзистора р-п-р-ти - па. [52]

Так устроены наиболее распространенные низкочастотные германиевые транзисторы П13, П14, П15, П16 и их разновидности. Буква П в обозначении - первоначальная буква слова плоскостной, а цифры - порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть бувы А, Б, В ( например, П13А), указывающие разновидность транзистора данной группы. [53]

Для большинства германиевых транзисторов эта величина относительно невелика и лежит в пределах 0 1 - 0 7 мв сдвига эмит-терного напряжения на 1 в изменения коллекторного напряжения. [54]

Упрощенная схема стабилизации рабочей точки с дополнительным отрицательным питающим напряжением. [55]

При использовании германиевых транзисторов в этой схеме необходимо принимать во внимание обратные токи, так как они примерно в 1000 раз больше, чем у кремниевых транзисторов. [56]

Обычно для германиевых транзисторов иб 0 2 ч - 0 3 в, поэтому Е3 целесообразно брать около 3 - 5 в. [57]

Для получения высокочастотных и импульсных германиевых транзисторов с высокими параметрами применяют меза-планарную технологию. [58]

Мультивибраторы на германиевых транзисторах при этом имеют меньшие выходные сопротивления, чем на кремниевых. При равных предельно допустимых напряжениях терманиевые транзисторы обеспечивают получение несколько большей амплитуды выходных импульсов. С это напряжение увеличивается на 0 15 в - 0 2 в относительно его значения, измеренного при нормальной температуре. [59]

Первый в мире германиевый транзистор создан в 1948 году, а уже через двадцать лет выпускались сотни миллионов таких приборов. [60]

Страницы: 1 2 3 4