Германиевый транзистор - тип
Cтраница 1
Германиевые транзисторы типов П207 - П208А должны - прикрепляться к теплоотводящей панели с помощью двух шпилек. При использовании транзисторов в предельных режимах рекомендуется применение водяного охлаждения из расчета не менее 1 5 л / лшм. [1]
Германиевые транзисторы типов П209 - П210А привинчиваются к теплоотводящей панели с помощью накидного фланца. При температуре корпуса 25 С и выше предельно допустимая мощность, рассеиваемая коллектором, снижается на 100 мет через каждые 10 С. [2]
 |
Принципиальная схема базового элемента серии Логика Т.| Способы присоединения нагрузки к элементу серии Логика Т. [3] |
Германиевый транзистор типа р-п - р включен по схеме с общим эмиттером. [4]
Исследовались германиевые транзисторы типов П13, П15, П16А, П26А, П202, П4Е, а также кремниевые типа ПЗОЗ. [5]
Для германиевого транзистора типа п-р - п с шириной базы ш 2 5 - 10 - см найти предельные частоты К и f h, если транзистор работает при Т 300 К. [6]
База в германиевом транзисторе типа п-р - п имеет ширину 0 025 мм. Определить: а) время, необходимое неосновным носителям для пролета базы; б) время, необходимое неосновным носителям для пролета базы в аналогичном транзисторе типа р-п - р; в) каким частотам переменного напряжения соответствуют найденные значения времени пролета. [7]
Подходящим для каскада является маломощный германиевый транзистор типа П14, имеющий Ржци 20 при токе коллектора / ко 1 ма; останавливаемся на этом транзисторе и увеличиваем ток покоя коллектора до рекомендуемого значения в 1 ма. [8]
Подходящим для каскада является маломощный германиевый транзистор типа П6В, имеющий ам н - 0 94 при токе коллектора / - о 1 ма; останавливаемся на этом транзисторе и увеличиваем ток покоя коллектора до рекомендуемого значения в 1 ма. [9]
 |
Зависимость эксплуатационного коэффициента интенсивности отказов катушек индуктивности, трансформато - - ров, сельсинов и электродвигателей от величины электрической нагрузки. [10] |
Для примера рассмотрим надежность германиевого транзистора типа П214В, который работает в схеме усилителя напряжения при температуре окружающей среды 40 С. [11]
Определяя нулевой уровень схемы рис. 3 - 23 с германиевыми транзисторами типа П407, примем, что параметры полной эквивалентной схемы рис. 4 - 3 обоих транзисторов одинаковы, за исключением величины динами-еских сопротивлений закрытых транзисторов г3, которые отличаются в два раза. [12]
У транзисторов, имеющих сравнительно небольшое изменение дг и а7 ( германиевые транзисторы типа р-п - р), должно наблюдаться увеличение / при повышении температуры в сравнительно широком диапазоне температур. [13]
На рис. 1 - 14 показаны экспериментальные вольт-амперные характеристики промежутка коллектор-эмиттер германиевого транзистора типа П16Б для нормального и инверсного включений. [14]
Применены новые типы транзисторов: вместо КТ342А - КТ645А, вместо КТ608А - КТ646А, а вместо германиевого транзистора типа П214А применен кремниевый типа К. [15]
Страницы: 1 2