Германиевый транзистор - тип - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизненно важные бумаги всегда демонстрируют свою жизненную важность путем спонтанного перемещения с места, куда вы их положили на место, где вы их не сможете найти. Законы Мерфи (еще...)

Германиевый транзистор - тип

Cтраница 2


16 Эквивалентная схема. [16]

На рис. 20 - 5 - 20 - 8 приведены типичные графики зависимости коэффициента усиления по мощности усилителя с нейтрализацией, выполненного на германиевых транзисторах типа 2N1141 в диапазоне частот от 60 до 400 Мгц при двух режимах смещения.  [17]

На рис. 1 представлены экспериментальные зависимости & вхБ ( Г) и R3s ( T) - интегральное сопротивление перехода эмиттер-база при обрыве в цепи коллектора для сплавного маломощного германиевого транзистора типа МП21, полученные при токах / EXil ма и 1ву2 - 0 5 ма. Наклон зависимости R & ( T) при таком изменении тока остается постоянным, а наклон зависимости RBxB ( Т) меняется не только с изменением тока, но и с изменением температуры.  [18]

В схемах с общей базой линейная зависимость коэффициента усиления по току от интегрального потока быстрых нейтронов является хорошим приближением для устройств типа прп, но не всегда верна для германиевых транзисторов типа рпр. Следовательно, отношение t / a может характеризовать работоспособность любого транзистора при заданной величине выдержки под облучением. Величина а зависит от материала базы, температуры и плотности неравновесных носителей.  [19]

Эмиттерный переход транзистора [1 ] с точки зрения изменения напряжения базы с изменением температуры может быть уподоблен простому диодному р-п переходу, для которого напряжение уменьшается с увеличением температуры примерно на 1 5 - 2 5 мв / С, причем тем меньше, чем больше величина прямого тока. Для маломощных германиевых транзисторов типов МП13 - МП16, МП25 - МП26 при токе эмиттера 1 - 10 ма у бяа - ( 2, 5ч - 2) мв / С, разброс уиб от образца к образцу составляет 0 1 - 0 3 мвГ С. Для мощных транзисторов типов П210, П4, П214 - П217 при токе 0 1 - 1 а у б лежит в пределах - ( 1 9ч - 1 3) мв / С.  [20]

Выходная мощность всех преобразователей принята Рн 1 000 ва. Преобразователи выполняются на мало-инерционных германиевых транзисторах типа 1Т806 и кремниевых диодах типа 2Д204, расчетные параметры которых указаны в табл. 2 - 2 и 2 - 1 соответственно. Дроссели конверторов п выходной трансформатор инверторов выполняются на броневых ленточных сердечниках из материала ЭЗбО-008 мм, а трансформаторы конверторов выполняются на тороидальных сердечниках на пермаллоя 34НКМП - 0.05 мм. Перегрев обмоток всех магнитных элементов принят Д6К 50 С. Выходное сопротивление источника питания принято 2И оо.  [21]



Страницы:      1    2