Сплавной германиевый транзистор
Cтраница 1
 |
Основные размеры и схематическое изображение транзисторов типа П208. [1] |
Сплавные германиевые транзисторы П208 предназначены для усиления и переключения мощности низкой частоты. [2]
Сплавные германиевые транзисторы применяются для усиления сигналов низкой частоты. [3]
Сплавные германиевые транзисторы имеют следующую цоко-левку: средний вывод является базой, ближний к базе - эмиттером и дальний - коллектором. [4]
Сплавные германиевые транзисторы имеют следующую цоко-левку: средний вывод является базой, ближний к базе - эмиттером и дальний - коллектором. [5]
Аналогичным способом изготовляют сплавные германиевые транзисторы п - р - п типа, однако в этом случае пластинка германия обладает проводимостью р типа, и для создания р - - переходов используется другой легирующий материал. [6]
Легирующим материалом для создания сплавных германиевых транзисторов р-л-р-типа служит индий с добавкой галлия. [7]
Среди низкочастотных мощных транзисторов значительное место занимают сплавные германиевые транзисторы. Для обеспечения больших токов в транзисторах необходимы большие площади эмиттера. [8]
Причина, препятствующая дальнейшему увеличению-допустимого напряжения в сплавных германиевых транзисторах, - снижение допустимой температуры перехода. [9]
В настоящее время наибольшие рабочие токи, кроме сплавных германиевых транзисторов, имеют кремниевые транзисторы, изготовленные с помощью двусторонней диффузии. [10]
 |
Схемы устройства транзисторов р - п-р типа. [11] |
На рис. 29, а схематически изображена конструкция сплавного германиевого транзистора р - л - р типа. [12]
В транзисторах, изготовленных с использованием двойной односторонней диффузии, не удается снизить сопротивление насыщения до таких величин, которые достигаются в сплавных германиевых транзисторах и в кремниевых приборах с диффузионными эмиттером и коллектором. Однако задача снижения сопротивления насыщения этих транзисторов не теряет значения. [13]
При использовании генератора с мостовыми время-задающими элементами нестабильность временного порога, вызванная дестабилизирующими факторами, меньше, чем в аналогичной схеме с немостовым генератором типа мультивибратора или фанта-строна. Для сплавных германиевых транзисторов экспериментально полученная нестабильность порога селектирования составляет 8 - 10 % в диапазоне температур от - 50 до 50 С и изменения напряжения питания в пределах 10 % от номинального значения. [14]
Входное сопротивление транзистора зависит от схемы включения его. Для маломощных сплавных германиевых транзисторов типично значение Лцб22н - 30 ом, для маломощных сплавных кремниевых 35 - 100 ом, для маломощных диффузионно-сплавных германиевых 7 - 50 ом. [15]
Страницы: 1 2