Cтраница 2
Поскольку величина t / M согласно ( 2 - 56) пропорциональна р, ясно, что лавинный пробой свойствен транзисторам со сравнительно низкоомным материалом базы. Пусть, например, в сплавном германиевом транзисторе w0 20 мкм; L 0 01 см и р 2 Ом-см; тогда согласно ( 2 - 56) 1 / м 120 В и правая часть ( 4 - 79) составит около 1 5 мкм. При этом условие ( 4 - 79) выполняется и пробой является лавинным. Если же р 20 Ом-см, то правая часть ( 4 - 79) равна 60 мкм и можно считать, что пробой обусловлен смыканием. [16]
Дальнейшее увеличение рабочего тока мощных сплавных германиевых р-п - р транзисторов может достигаться за счет введения нескольких концентричных эмиттерных колец и увеличения площади структуры. При этом кольцевые эмиттерные электроды должны чередоваться с базовыми электродами так, чтобы каждый кольцевой базовый электрод обслуживал два эмиттерных электрода, расположенных внутри и снаружи. Создание сплавных германиевых транзисторов, рассчитанных на особо большие рабочие токи, - очень сложная технологическая задача, однако, несмотря на значительные трудности, в настоящее время промышленность выпускает сплавные германиевые транзисторы на токи в несколько десятков ампер. [17]
Дальнейшее увеличение рабочего тока мощных сплавных германиевых р-п - р транзисторов может достигаться за счет введения нескольких концентричных эмиттерных колец и увеличения площади структуры. При этом кольцевые эмиттерные электроды должны чередоваться с базовыми электродами так, чтобы каждый кольцевой базовый электрод обслуживал два эмиттерных электрода, расположенных внутри и снаружи. Создание сплавных германиевых транзисторов, рассчитанных на особо большие рабочие токи, - очень сложная технологическая задача, однако, несмотря на значительные трудности, в настоящее время промышленность выпускает сплавные германиевые транзисторы на токи в несколько десятков ампер. [18]