Высоковольтный транзистор

Cтраница 1

Высоковольтные транзисторы ( U K3max l5Q - 2QQ В) изготавливаются обычно диффузионным способом ( так называемым способом тройной диффузии) на основе полированных пластин кремния толщиной около 200 - 250 мкм. Глубина залегания коллекторных переходов этих транзисторов не превышает обычно 15 - 25 мкм, а толщина высокоомной области коллектора WK может изменяться в интервале от 20 - 30 до 100 мкм и более. [1]

Для высоковольтных транзисторов к 1983 г. достигнут уровень допустимого коллекторного напряжения UK, доп 1200 - f - 3000 В при токе / к. [2]

Для высоковольтных транзисторов со слаболегированной областью коллектора в дополнение к перечисленным физическим явлениям имеют место еще два следующих эффекта, снижающих коэффициент передачи тока. [3]

Для высоковольтных транзисторов ССв сильно изменяется при изменении выходного напряжения. В диапазоне больших коллекторных токов значительно уменьшается коэффициент передачи тока BN. При этом уравнение ( 6 21) становится нелинейным. Для приближенных расчетов данные параметры необходимо усреднять в диапазоне рабочих токов и напряжений. [4]

В высоковольтных транзисторах используют полупроводники с повышенным удельным сопротивлением. Однако чрезмерное увеличение удельного сопротивления исходного полупроводника в сплавных приборах ( для кремниевых сплавных транзисторов п-р-п-тнш более 30 - - 70 Ом см) приводит к уменьшению напряжения смыкания. Эффект смыкания заключается в том, что при повышении приложенного напряжения область объемного заряда обратно смещенного коллекторного перехода расширяется и при определенных напряжениях ее граница может достичь эмиттерного перехода. В результате резко падает входное сопротивление и теряются усилительные свойства транзистора. Применение исходного полупроводника с высоким удельным сопротивлением в германиевых сплавных транзисторах приводит, кроме того, к понижению рабочей температуры. [5]

Цоколь ( а и схема управления индикатором ИН-1 ( б. [6]

Управление индикатором осуществляется высоковольтными транзисторами типа П-26. Для зажигания определенной цифры, например 9, триод, управляющий этой цифрой, закрывается положительным напряжением. В результате на газоразрядном промежутке цифры 9 образуется падение напряжения в 210 в, достаточное для образования тлеющего разряда. [7]

Отечественная промышленность не выпускает достаточно высоковольтных транзисторов, способных переключать большие токи. Защита плавким предохранителем не может быть осуществлена из-за его большой инерционности. [8]

Это является фундаментальным ограничением быстродействия высоковольтных транзисторов. [9]

Распределение примесей в структуре, полученной с помощью тройной односторонней диффузии. [10]

Причина появления изломов на характеристиках особо высоковольтных транзисторов связана с тем, что в начальном участке выходной характеристики коллекторный переход сильно смещен в прямом направлении и сопротивление высокоомного тела коллектора может снижаться за счет модуляции проводимости инжектированных неосновных носителей. [11]

Использование мощных или ( и) высоковольтных транзисторов в выходных каскадах ЛЭ предопределяет область их применения. [12]

Дешифратор состоит из логических ТТЛ-схем и десяти высоковольтных транзисторов. [13]

Поэтому в проблемах, возникающих при создании высоковольтных транзисторов этих двух типов, много общего. Как и в случае сплавных транзисторов при создании высоковольтных транзисторов с диффузионными эмиттером ч коллектором выбор удельного сопротивления исходного полупроводника и толщины базовой области осуществляется таким образом, чтобы получить максимально возможные значения пробивного напряжения перехода коллектор - база и напряжения прокола. Для кремниевых транзисторов, полученных с помощью двусторонней диффузии, могут возникнуть опасения, что спад времени жизни в результате термообработки очень сильно ограничит максимальную толщину базы и, следовательно, допустимое напряжение. Эти величины времени жизни не дают, однако, возможности получить в диффузионных транзисторах такую же толщину базовой области, как в сплавных приборах. Тем не менее, по пробивным напряжениям кремниевые транзисторы с диффузионными эмиттером и коллектором не уступают кремниевым сплавным п-р - п транзисторам. Если, сравнить распределение примесей IB этих приборах ( см. рис. 2 - 10 и 2 - 15), то можно заметить, что в диффузионных приборах пространственный заряд коллекторною перехода может расширяться не только в базовую область, но и Б сторону коллектора. [14]

Рассмотрим пример расчета схемы, когда наличие высоковольтных транзисторов позволяет получить повышенную скорость отключения нагрузки. Пусть требуется построить генератор импульсов высокого напряжения для работы с индукционной катушкой, имеющей параметры LH 3 7 мгн, RH 2 ом; напряжение питания Е - 12 4 - 15 в. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5