Высоковольтный транзистор

Cтраница 4

Мощные высоковольтные транзисторы предназначены в первую очередь для работы в режиме переключения характеризующемся переходом транзистора из закрытого состояния с высоким обратным напряжением в открытое состояние с большим током коллектора. Этим определяются основные требования к высоковольтным транзисторам: высокое пробивное напряжение коллектор - эмиттер, большой ток коллектора, малое падение напряжения в открытом состоянии, малая длительность переходных процессов. [46]

Данный режим управления используется также в интегральных BIMOS-модулях типа каскод. В таком ключе сигнал управления подается не на основной высоковольтный транзистор 1 / Т1: а на вспомогательный низковольтный и быстродействующий транзистор VT2, включенный последовательно в эмиттерную цепь основного. Часто в качестве Биполярный ключ с эмит-низковольтного управляющего транзистора ис - терным управлением пользуют быстродействующий МДП-ключ При открывании VTZ в базу основного транзистора поступает отпирающий ток, подключая нагрузку к источнику питания. При запирании VT2 происходит обрыв цепи эмиттера силового транзистора VT, и коллекторный ток последнего до полного рассасывания заряда в базовой и высокоомный коллекторной области замыкается через коллекторный переход VTi, диод VD и источник Vo Скорость выключения / Тл существенно возрастает, так как запирающий ток базы равен току коллектора. Так как на этапе запирания эмиттерная цепь силового ключа оборвана, происходит расширение границ ОБР до максимальных границ, определяемых максимальным током коллектора и напряжением пробоя коллекторного перехода. [47]

Процесс коммутации мощных транзисторов конвертора с высоким входным напряжением ( 340 - 590 В) сопровождается значительными ( двух-трехкратными от номинального значения) перегрузками по мгновенной ( импульсной) мощности, что приводит к локальному перегреву коллекторного перехода транзистора и выходу его из строя. Такой режим обусловлен инерционностью применяемых в настоящее время высоковольтных транзисторов и высокочастотных диодов. [48]

Поэтому в проблемах, возникающих при создании высоковольтных транзисторов этих двух типов, много общего. Как и в случае сплавных транзисторов при создании высоковольтных транзисторов с диффузионными эмиттером ч коллектором выбор удельного сопротивления исходного полупроводника и толщины базовой области осуществляется таким образом, чтобы получить максимально возможные значения пробивного напряжения перехода коллектор - база и напряжения прокола. Для кремниевых транзисторов, полученных с помощью двусторонней диффузии, могут возникнуть опасения, что спад времени жизни в результате термообработки очень сильно ограничит максимальную толщину базы и, следовательно, допустимое напряжение. Эти величины времени жизни не дают, однако, возможности получить в диффузионных транзисторах такую же толщину базовой области, как в сплавных приборах. Тем не менее, по пробивным напряжениям кремниевые транзисторы с диффузионными эмиттером и коллектором не уступают кремниевым сплавным п-р - п транзисторам. Если, сравнить распределение примесей IB этих приборах ( см. рис. 2 - 10 и 2 - 15), то можно заметить, что в диффузионных приборах пространственный заряд коллекторною перехода может расширяться не только в базовую область, но и Б сторону коллектора. [49]

Схема межблочных соединений телевизора Электроника Ц-43 Г. [50]

Эта модель отличается более высокими качествами изображения и звука, стабильностью настройки, простотой и надежностью схемных и конструктивных решений. Этому способствует применение новых радиоэлементов высокого качества, высоковольтных транзисторов, фильтров на поверхностно-акустических ( ПАВ) и объемно-акустических ( ОАВ) волнах. [51]

Схема спаренного блокинг-генератора с усилительным транзистором. [52]

В тех случаях, когда ток импульса от одного блокинг-генератора недостаточен, можно производить объединение нескольких блокинг-генераторов. На рис. 75 показаны два блокинг-генератора на двух высоковольтных транзисторах, например типа П2 ( Гь Т2), питающих общую нагрузку током 1 8 - 2 2 а. Длительность генерируемых импульсов около 7 - 9 мксек, а длительность фронтов и спадов - не более 1 5 мксек. [53]

Высоковольтный стабилизатор обыч ного типа. [54]

Так как напряжение на входе усилителя ошибки близко к уровню земли ( на выходе делителя будет низковольтный сигнал), то высокое напряжение пробоя должен иметь только проходной транзистор и тот, который подает на него управляющий сигнал. Идею такой схемы поясняет рис. 5.34. 7 и Т 2 - высоковольтные транзисторы: с напряжением пробоя 600 В и более. [55]

Удельное сопротивление исходного материала выбирают, исходя из требований к электрическим параметрам изготавливаемых приборов. Материал с р2 ом - см используют для изготовления импульсных приборов, а с р3 - 4 ом-см - для изготовления высоковольтных транзисторов. [56]

Так как при изготовлении транзисторов с диффузионными эмиттером и коллектором могут использоваться методы меза-планарной и пленарной технологии, эмит-терная область IB них может иметь достаточно сложную конфигурацию. Поскольку в высоковольтных приборах особенно сложно увеличивать площадь переходов, развитый периметр эмиттера в диффузионных транзисторах, имеющих высокое пробивное напряжение, способствует достижению в них максимальных рабочих токов, превосходящих значения, которые могут быть получены в сплавных высоковольтных транзисторах. Так, транзисторы 2N3149 - 2N3151, выпускаемые фирмой STC и фирмой Solitron, имеют максимальное напряжение t / K. Westinghouse, рассчитанным на 300 в, по произведению максимального тока на напряжение превосходят их в полтора раза. В кремниевых диффузионных транзисторах с равномерно легированной базой имеется возможность после травления перехода коллектор - база нанести на поверхность р-п перехода защитную пассивирующую пленку из полученной методом пиролиза двуокиси кремния или из какого-либо легкоплавкого стекла. В структурах с несколько меньшими значениями предельного тока метод двусторонней диффузии позволяет создать транзисторы, превосходящие по пробивным напряжениям мощные сплавные высоковольтные транзисторы. [57]

Среди дефектов, располагающихся в объеме транзисторной структуры и снижающих предельное напряжение, следует отметить неровности или нарушения непрерывности франта вплавления и механические напряжения в полупроводниковом кристалле. Все эти дефекты могут снижать пробивное напряжение переходов, а наличие хотя бы ничтожных по площади несмоченных участков или посторонних включений на внутренней границе перехода вообще не позволит получить более или менее высокие пробивные напряжения. Так как механические напряжения могут сильно снижать пробивное напряжение р-п перехода, в конструкциях мощных сплавных высоковольтных транзисторов важно предусматривать те меры, направленные на снижение механических напряжений, о которых говорилось в гл. [58]

Наиболее распространены БТБП с высоковольтным преобразователем. Заметный выигрыш в размерах получается либо при их исполнении в виде гибридных микросхем, либо при больших мощностях. Если мощность преобразователя мала, то его габариты получаются относительно большими, поскольку промышленность не выпускает малогабаритных высоковольтных транзисторов. [59]

На рис. 29 представлена схема указателя полярности, использующаяся в подобных АЦП. Два последовательных положительных перепада напряжений, образующихся в схеме совпадения симметричного компаратора ( см. рис. 25), подаются на входы /, / / указателя полярности. Напряжения коллекторов транзисторов триггера передаются через делители ( R9, Ri3 и Rlz, R1S) на базы высоковольтных транзисторов Та и Т, оставляя запертым один из них. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5