Силовой транзистор
Cтраница 1
Силовые транзисторы предназначены для работы преимущественно в ключевых режимах в схеме с общим эмиттером. [1]
Силовые транзисторы для преобразователя и ключевого стабилизатора должны быть высоковольтными - с допустимым напряжением коллектор-эмиттер 500 - 1000 В, коммутировать токи 3 - 5 А и допускать не менее десятикратную импульсную перегрузку по току коллектора. [2]
 |
Принципиальная схема генератора ТГИ-1. [3] |
Поскольку отечественные серийные силовые транзисторы обладали сравнительно небольшими максимальными напряжениями, для получения увеличенной амплитуды импульса напряжения были разработаны генераторы типа ТГИ-1 и ТГИ-2 с последовательным включением транзисторных каскадов. [4]
Для силовых транзисторов и запираемых тиристоров практически используют одни и те же схемные способы защиты в переходных процессах переключения. Однако более высокие амплитуды коммутируемыхтоков и мощностей определяют дополнительное воздействие паразитных элементов схемы на переходные характеристики. При этом изменяются формы коммутируемых токов и напряжений, что накладывает дополнительные требования при расчете защитных цепей. [5]
Эмиттеры силовых транзисторов изготавливаются обычно в виде полосок самой различной конфигурации, в том числе и гребенчатой. На этом же рисунке изображено примерное распределение плотности тока эмиттера. [6]
Параметры силовых транзисторов непрерывно улучшаются и поэтому они представляют серьезную конкуренцию для тиристоров в низковольтных устройствах, работающих при высоких скоростях переключения. [7]
Применение кремниевых силовых транзисторов снижает КПД, поэтому использовать их следует только для коммутаторов, рассчитанных на работу при температуре выше 50 - 60 С. Полупроводниковый коммутатор в зависимости от назначения двигателя содержит различные узлы. Для управляемых двигателей основными узлами коммутатора являются: силовые ключи коммутации обмотки, генератор напряжения питания датчика положения, регулятор скорости. [8]
В паспортных данных силовых транзисторов и диодов обычно приводится допустимая рассеиваемая мощность, как с радиатором, так и без него. Поэтому определение мощности, рассеиваемой транзистором и диодом, может рассматриваться как конечный результат расчета. [9]
При включении силового транзистора импульсом эмиттерного тока начинает увеличиваться ток в катушке индуктивности намагничивания импульсного трансформатора под действием приложенного к ее обмоткам напряжения. [10]
 |
Область безопасной работы силового транзистора. [11] |
Технология изготовления силовых транзисторов до сих пор требует применения специальных мер для обеспечения надежной работы СТК. При этом обычно приходится решать задачи, связанные как с уменьшением статических и динамических потерь в СТК, так и обеспечением области безопасной работы ( ОБР) силового транзистора. [12]
Типовая ОБР силового транзистора ( СТ), построенная в логарифмическом масштабе, изображена на рис. 3.20. Эта ОБР имеет четыре границы, каждая из которых соответствует предельным параметрам СТ. [13]
Цепь запирания силовых транзисторов, представленная на рис. 37.97, обеспечивает во время действия синхроимпульса прерывание тока цепи ПОС и задание вместо него запирающего тока в базовую цепь силового транзистора, находящегося в данном такте в состоянии проводимости. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5