Силовой транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Учти, знания половым путем не передаются. Законы Мерфи (еще...)

Силовой транзистор

Cтраница 5


61 Конструкции силовых приборов таблеточного типа.| Конструкции силовых транзисторов. [61]

На рис. 6.11 изображены конструкции силовых транзисторов.  [62]

Широтно-импульсный способ применяется для управления силовыми транзисторами и тиристорами, питаемыми постоянным током, на выходе которых ток нагрузки зависит от длительности нахождения их во включенном состоянии. Сигнал управления транзисторами и тиристорами формируется в модуляторе, в качестве которого используется магнитный усилитель с внутренней обратной связью, выполненный на сердечниках из сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса. При питании от источника переменного тока с напряжением прямоугольной формы МУ имеет на выходе ток в форме прямоугольных импульсов, ширина которых изменяется пропорционально управляющему сигналу.  [63]

Такие параметры позволяют осуществлять управление силовым транзистором непосредственно от интегральных схем. На рис. 3.97 показана схема управления на интегральной логической схеме, выполненной по К-МОП-тех-нологии. Это следует из необходимости быстрого перезаряда внутренних емкостей транзистора. Поэтому для снижения потерь мощности при высокой частоте переключения для МОП-транзисторов требуются также достаточно мощные оконечные усилители, например по схеме, показанной на рис. 3.98. Когда транзистор VT3 с помощью управляющего логического сигнала переводится во включенное состояние, транзистор VTi также включается. При этом положительное управляющее напряжение прикладывается через VT и R к затвору силового МОП-транзистора и последний включается. Когда транзистор VT3 переводится в выключенное состояние, запирается также и транзистор VT, а транзистор VT2 включается. Ом), внутренние емкости силового транзистора быстро заряжаются или разряжаются через элементы схемы оконечного усилителя.  [64]

В точке А напряжение на силовом транзисторе падает до минимума, однако оно должно быть не меньше Ит.  [65]

Это также снижает потери яа силовых транзисторах.  [66]



Страницы:      1    2    3    4    5