Ключевой транзистор

Cтраница 2

Управление ключевым транзистором в одиотактных регистрах сдвига целесообразно осуществлять таким же способом, как и управление усилительным транзистором в рассмотренной схеме. [16]

Схема ключа на комплементарных транзисторах ( а и зависимость его сопротивления в открытом состоянии от входного напряжения ( б. [17]

Для отпирания ключевого транзистора Т на его затвор необходимо подать напряжение отрицательной полярности, превышающее пороговое напряжение С / пор. [18]

Выбор типа ключевого транзистора в данной схеме определяется предельным значением рабочего напряжения, режимом токовой нагрузки, а также максимально допустимой мощностью потерь. [19]

Практика разработки ключевых транзисторов средней и большой мощности показывает, что быстродействующие транзисторы по сравнению с низкочастотными транзисторами, как правило, допускают меньшие перегрузки по напряжению и по току, более склонны к вторичному пробою и имеют ряд других особенностей, усложняющих их эксплуатацию. Поэтому, несмотря на разработку в последние годы усовершенствованных образцов быстродействующих ключевых транзисторов ( 1Т806, 1Т906, 2Т803 и др.), низкочастотные транзисторы ( 1Т403, П-215, П-217, П-210) продолжают широко использоваться в преобразовательной технике, позволяя создавать дешевые и надежно работающие изделия. [20]

Напряжение на закрытом ключевом транзисторе складывается из напряжения питания Un и ЭДС первичной полуобмотки, которая в данный момент разомкнута. Поэтому, выбирая транзистор, следует обратить внимание на допустимое напряжение между его силовыми электродами. Необходимо также учитывать, что ток ключевого транзистора складывается из постоянного тока нагрузки, пересчитанного в первичную цепь, и линейно нарастающего тока намагничения индуктивности первичной обмотки. [21]

В исходном состоянии ключевой транзистор открыт и на - ходится в режиме насыщения. Конденсатор С заряжен до разности напряжения коллекторного источника и падения напряжения на сопротивлении резистора RK, которое выбирается небольшим. Резистор R3 в его эмиттерной цепи осуществляет отрицательную обратную связь по току. После окончания входного импульса конденсатор быстро заряжается через открывшийся ключевой транзистор. [22]

Практическая схема однотактного регистра сдвига с ключевым транзистором, управляемым обратным импульсом блокинг-генератора. Через конденсатор GI подаются запускающие импульсы. [23]

В исходном состоянии ключевой транзистор Т2 закрыт за счет шунтирования цепи база - эмиттер омическим сопротивлением выходной обмотки / / / блокинг-трансформатора Тр. В момент генерирования ждущим блокинг-генератором ( на транзисторе Т) тактового импульса информация, например, с первого тора переписывается на конденсатор С. В это время цепь, разряда конденсатора разомкнута закрытым ключевым транзистором. [24]

В режиме хранения ключевой транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор подается напряжение, отпирающее транзистор. Запоминающая емкость через проводящий канал подключается к линии записи-считывания и в зависимости от заряженного или разряженного состояния емкости различно влияет на потенциал линии записи-считывания. При записи потенциал линии записи-считывания передается на конденсатор, определяя его состояние. В однотранзисторном ЗЭ конденсатор также неизбежно теряет со временем свой заряд, и хранение данных требует их периодической регенерации. [25]

Структурная схема активного корректора коэффициента мощности ( а и его временные. [26]

Включение и выключение ключевого транзистора Т выполняется устройством управления, которое состоит из датчика выпрямленного напряжения ДВН, датчика тока ДТ в индуктивности L и схемы формирования импульсов управления СУ. L), Выключение транзистора Т происходит в момент времени, когда линейно нарастающее напряжение с датчика тока становится равным изменяющемуся по синусоидальному закону напряжению с датчика выпрямленного напряжения ДВН. [27]

Другой важнейшей характеристикой силовых ключевых транзисторов является напряжение насыщения и его зависимость от режима работы схемы. Данное напряжение характеризует открытое состояние ключа, и его величина определяется положением рабочей точки силового транзистора в области насыщения на выходной характеристике. [28]

Напряжение на эмиттере ключевого транзистора управления Т25 отрицательно. И транзистор Т25 и диод Дз шунтируют времязадающие конденсаторы, предохраняя их от заряда. В этом положении эмиттер-ные повторители генератора развертки Т2в и T2S проводят слабо, а генератор ( напомним, что генератор Миллера - это усилитель с емкостной обратной связью) Т27 - сильно. [29]

Погрешности работы модулятора на ключевых транзисторах могут быть низки, порядка 4 мкВ на 10 С. Напряжение шумов и погрешностей также не превышает нескольких микровольт при достаточно тщательной отладке схемы компенсации. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5