Ключевой транзистор
Cтраница 3
 |
Формирователь с туннельным диодом. [31] |
При запертом транзисторе Ti открывается ключевой транзистор Тъ при открытом транзисторе Т открывается транзистор Тз. Таким образом, на выходе образуются прямоугольные импульсы с помощью низкоомного источника, которым является транзисторный ключ, что обеспечивает малую длительность фронтов импульсов. [32]
В момент окончания режима подогрева встроенный ключевой транзистор, подключенный к выводу RPH, выключается и напряжение на этом входе нарастает от нуля до напряжения на входе RT. Микросхема переходит в режим управляемого поджига. [33]
 |
Ключ с общей базой ( а и графики, поясняющие условия насыщения транзистора с общим эмиттером ( б. [34] |
Область возможных положений рабочей точки ключевого транзистора разделяют на три части: отсечки, насыщения, активную. [35]
При отрицательном потенциале на базе ключевого транзистора Тъ он открывается и по обмотке управления трансформатора ТР2 течет ток, обусловленный напряжением ( Un - Uy), где Un-напряжение питания со стабилитрона Я м a Uy - напряжение управления. [36]
ОИ), подаваемым на базу ключевого транзистора по окончании тактового импульса на время, необходимое для переписывания информации с накопительного конденсатора на последующий тор. [37]
Считывание осуществляется за счет открывания обоих ключевых транзисторов Г3 и T импульсом небольшой амплитуды, подаваемым в числовую шину ЧШ. При этом в зависимости от состояния триггера в разрядной шине считывания РШ возникает соответствующий импульс. [38]
С коллектора в цепь базы каждого ключевого транзистора с помощью диодов Дц, Д44 и Д45 введена нелинейная отрицательная обратная связь, устраняющая насыщение ключевых транзисторов, а следовательно, повышающая быстродействие формирователя. [39]
При отсутствии потенциала корпуса на входе ключевых транзисторов lOTl - т - ЮТб ( точки /, 3, 4, 5, 6, 7 платы коммутаторов У10) они закрыты, и напряжение 25 В отключено от настроечных резисторов. [40]
Во-вторых, коэффициент усиления характеризует способность ключевого транзистора находиться в насыщенном состоянии при заданном входном воздействии и нагрузочном токе. [41]
Для уменьшения мощности, рассеиваемой на ключевом транзисторе, и ускорения разряда паразитных емкостей вместо линейного резистора Rc часто используют полевой транзистор, имеющий проводимость канала, отличную от проводимости ключевого транзистора. [42]
Для уменьшения мощности, рассеиваемой на ключевом транзисторе, и ускорения разряда паразитных емкостей вместо линейного сопротивления Лс часто используют полевой транзистор, имеющий проводимость канала, отличную от проводимости ключевого транзистора. [43]
 |
Принципиальные электрические схемы токового ключа ( а и источника токов ( б. [44] |
В первом ( левом) ряду расположены ключевые транзисторы и транзистор для формирования диода при коротком замыкании коллекторного перехода. Окна в оксидной пленке для контактов металл-полупроводник показаны штриховой линией. В последнем ряду расположены резисторы, сформированные базовой диффузией в изолированной п-области. Омический контакт создается с помощью п - области, расположенной в правом верхнем углу ячейки. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5