Последовательно включенный транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Закон Митчелла о совещаниях: любую проблему можно сделать неразрешимой, если провести достаточное количество совещаний по ее обсуждению. Законы Мерфи (еще...)

Последовательно включенный транзистор

Cтраница 1


1 Триггер - формирователь коммутирующих импульсов ( ИС К224ТП1 и устройство опознавания ( ИС 122 1. П1. [1]

Последовательно включенные транзисторы Т1 - ТЗ в ИС У5 образуют схему совпадения И, а транзисторы Т2 и ТЗ одновременно выделяют импульсы опознавания.  [2]

Последовательно включенные транзисторы Tl, T2, ТЗ образуют схему совпадения И системы опознавания.  [3]

Применение двух последовательно включенных транзисторов позволило увеличить EL, благодаря чему уменьшится время отключения тока нагрузки Тоткл сх Зготкл.  [4]

5 Схема полупроводникового фильтра с нагрузкой в цепи эмиттера.| Вариант схемы полупроводникового фильтра с нагрузкой в цепи эмиттера.| Схема полупроводникового фильтра с нагрузкой в цепи коллектора. [5]

Фильтр с последовательно включенным транзистором подобен в некоторой степени LC - и У. С-фильтрам, в которых элемент L или R заменен переходом эмиттер - коллектор транзистора, обладающим больший сопротивлением переменному току. На базу транзистора подается переменное напряжение в такой фазе, которая вызывает увеличение сопротивления транзистора при положительном полупериоде пульсации и уменьшение его при отрицательном полупериоде. Эта связь по базе усиливает сглаживающее действие фильтра.  [6]

Фильтры с последовательно включенным транзистором при соответствующей защите от возможных коротких замыканий и от перенапряжений при включении и выключении могут работать при напряжениях до нескольких тысяч вольт.  [7]

Для надежной работы последовательно включенных транзисторов необходимо снизить их ток до 5Q - f - 60 % от номинального и допускать напряжение в среднем на каждый транзистор до 60 - f - 70 % от номинального.  [8]

9 Схема стабилизатора с последовательным включением регулирующих транзисторов. [9]

При больших токах нагрузки последовательно включенные транзисторы можно включать по схеме составного транзистора, что позволяет примерно на порядок уменьшить ток через шунтирующие резисторы.  [10]

11 Схема усилителя, содержащего п последовательно включенных транзисторов. [11]

Многокаскадный усилитель, содержащий п последовательно включенных транзисторов, приведен на рис. 2.24. Усилитель данного типа известен под названием бобовый стебель и используется в качестве видеоусилителя телевизионных приемников. Так как одним из основных требований, предъявляемых к усилителю ( рис. 2.24), является обеспечение большого напряжения на выходе, для надежной работы усилителя необходимо обеспечить равномерное распределение выходного напряжения сигнала вдоль последовательно включенных транзисторов. Для этого соответствующим образом выбирают сопротивления делителя RI - Rn i, добиваясь того, чтобы коэффициент усиления предыдущего транзистора был больше последующего. Усиление первого транзистора обычно порядка 10 раз; усиление последнего стремится к единице. Режим работы транзисторов в схеме ( рис. 2.24) полностью определяется потенциометрическим делителем R - Rn i, задающим смещение на базы.  [12]

Схема рис. 5.8 позволяет устранить перенапряжение последовательно включенных транзисторов как в рабочий, так и в нерабочий периоды. Однако глубокая отрицательная обратная связь, используемая в этой схеме, значительно снижает усиление транзисторов и выходную мощность усилителя. При индивидуальном подборе глубины обратной связи это снижение невелико. Однако при этом исключается возможность замены транзисторов без специальной подстройки усилителя.  [13]

14 Каскад с повышенным максимальным напряжением сигнала и несимметричным выходом. [14]

Поэтому напряжения сигнала, развиваемые обоими последовательно включенными транзисторами, складываются на сопротивлении RK, делитель R R - i обеспечивает напряжение сигнала на входе верхнего транзистора, необходимое для полного использования его коллекторного напряжения при сигнале на входе нижнего транзистора, соответствующем полному использованию коллекторного напряжения нижнего транзистора.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5