Последовательно включенный транзистор
Cтраница 4
Переходы Яг и П смещены вобратном направлении и являются в данном случае коллекторными. Динистор в этом режиме эквивалентен двум последовательно включенным транзисторам ( p - n - р и n - p - ri) с оборванными базами. [46]
 |
Вольт-амперная характеристика диодного тиристора.| Триодный тиристор. [47] |
При этом переход П % смещен в прямом направлении, а переходы П и Я3 в обратном и являются коллекторными. Динистор в этом случае эквивалентен двум последовательно включенным транзисторам ( р-п - р и п-р-я-типа) с оборванными базами. [48]
В этом случае ток питания шунтируется цепочкой последовательно включенных транзисторов. [49]
Ограничение возможного числа входов зависит от сопротивления насыщения последовательно включенных транзисторов. Величина общего падения напряжения на всех насыщенных последовательно соединенных транзисторах должна быть того же порядка, что и падение напряжения, допустимое на одном транзисторе в параллельной цепи для обеспечения необходимого уменьшения выходного тока до нескольких микроампер. Поскольку при уменьшении напряжения между коллектором и эмиттером в состоянии включено усиление по току падает, то с учетом указанных выше ограничений на базы последовательно соединенных транзисторов необходимо подавать больший ток, чем на базы параллельно включенных транзисторов. Другая задача, связанная с последовательной схемой, состоит в жестких условиях обеспечения насыщения первого и последнего транзисторов в цепочке. В последнем транзисторе, эмиттер которого заземлен, коллекторный ток равен сумме тока питания ( Д) и всех базовых токов других транзисторов цепочки. Следовательно, для получения достаточно низкого напряжения между коллектором и эмиттером последнего транзистора необходимо, чтобы ток его базы был велик. Для того чтобы иметь соответствующее состояние включено, первый транзистор цепочки, коллектор которого подключен к сопротивлению питания Нг, должен иметь высокое напряжение на базе, поскольку напряжение его эмигтера больше нуля на величину, равную сумме напряжений между коллекторами и эмиттерами всех других транзисторов. [50]
Схема И-НЕ ( рис. 4.18) представляет собой последовательное соединение нескольких МДП-транзисторов. Ее топологические варианты изображены на рис. 4.19. Сопротивления каналов последовательно включенных транзисторов в этой схеме складываются. [51]
Алгоритм функционирования бесконтактной логической схемы 10 аналогичен таковому синхронизатора АСТ-4. Для надежности схема состоит из двух параллельных идентичных каналов, работающих на последовательно включенные транзисторы с нагрузкой в виде электромагнитного реле. [53]
Рисунок 29 - 8 показывает, как могут быть реализованы логические функции при использовании последовательно включенных транзисторов. [54]
В схеме эмиттерного повторителя, которая обычно используется с электронными лампами, наоборот, стабилизирующий усилитель ставится вблизи напряжения выходного зажима, который не содержит последовательного транзистора. Тогда стабилизирующий усилитель воспринимает напряжение параллельно с выходными зажимами и выходное напряжение возбуждения подается на базу последовательно включенного транзистора. Однако в высоковольтном стабилизаторе напряжение на базе значительно отличается от напряжения на выходе стабилизирующего усилителя, так что в последнем каскаде стабилизирующего усилителя напряжение цепи коллектор-эмиттер должно быть очень велико. [55]
Многокаскадный усилитель, содержащий п последовательно включенных транзисторов, приведен на рис. 2.24. Усилитель данного типа известен под названием бобовый стебель и используется в качестве видеоусилителя телевизионных приемников. Так как одним из основных требований, предъявляемых к усилителю ( рис. 2.24), является обеспечение большого напряжения на выходе, для надежной работы усилителя необходимо обеспечить равномерное распределение выходного напряжения сигнала вдоль последовательно включенных транзисторов. Для этого соответствующим образом выбирают сопротивления делителя RI - Rn i, добиваясь того, чтобы коэффициент усиления предыдущего транзистора был больше последующего. Усиление первого транзистора обычно порядка 10 раз; усиление последнего стремится к единице. Режим работы транзисторов в схеме ( рис. 2.24) полностью определяется потенциометрическим делителем R - Rn i, задающим смещение на базы. [56]
Выходной провод может быть прерван магнитным прерывателем, который срабатывает быстрее, чем плавкий предохранитель, и, следовательно, более безопасен. Самый быстрый прерыватель может быть сделан на транзисторе, который запускается чрезмерным током нагрузки, протекающим через контрольное сопротивление. Триггер должен подавать смещение на последовательно включенный транзистор в течение микросекунд; такая защита наиболее надежна. Возвращение триггера в исходное состояние производится после паузы вручную или автоматически. [57]
Улучшение быстродействия при одновременном снижении мощности можно получить, применяя в логических ключах принцип дополнительной симметрии. В таких схемах вместо коллекторных ( сто-ковых) резисторов используются транзисторы противоположного типа проводимости. В статическом состоянии из двух последовательно включенных транзисторов один всегда открыт, а другой заперт. При изменении полярности напряжения на входе ключа транзисторы меняют состояния. Благодаря отсутствию резисторов схема имеет низкое выходное сопротивление. В схемах с дополнительной симметрией мощность потребляется только во время переключения транзисторов. Для получения низкой мощности переключения напряжение питания Еп следует снижать до минимально возможной величины. При определении минимального Еи следует учесть, что пороговое напряжение для МОП-транзисторов с - каналом обычно меньше порогового напряжения транзисторов с р-каналом. Для большинства практических случаев, когда основными требованиями остаются стабильность и быстродействие схемы, Еа должно быть значительно выше порогового напряжения МОП-транзистора с р-каналом. [58]
Сигнал на усилитель поступает с сопротивления Rt нагрузки эмиттерного повторителя. Каскад усилителя напряжения на транзисторе Т4 собран по схеме с общим эмиттером и соединен непосредственно по постоянному току с эмиттерным повторителем на транзисторе Ть. Коллекторное напряжение на транзистор Ть поступает через последовательно включенный транзистор Т6, а конденсатор С8 служит для развязки по переменной составляющей. [59]
При отрицательном напряжении U переход Я2 оказывается смещенным в прямом направлении и дырки инжектируются в слой nlf а электроны - в слой рг. Переходы Ях и Я3 смещены в обратном направлении и являются в данном случае коллекторными. Таким образом, динистор в этом режиме эквивалентен двум последовательно включенным транзисторам ( p - n - р и n - p - п) с оборванными базами. Напряжение пробоя в такой комбинации зависит от типа переходов Пг и Я3 ( плавные или ступенчатые), а также от материала баз. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5