Пленарный транзистор

Cтраница 2

По отношению к мощным кремниевым пленарным транзисторам следует сделать дополнительное замечание. Выход из режима насыщения в таких транзисторах связан не только с рассасыванием заряда неосновных носителей в области базы ( при п-р - п транзисторе ими являются электроны), но и в значительной степени зависит от рассасывания заряда неосновных носителей ( при п-р - п транзисторе ими являются дырки) в высокоомном коллекторном слое. Соответствующий выбор тк позволяет учесть влияние обоих факторов. [16]

Как полевые, так и пленарные транзисторы подходят для массового производства, их электрические свойства и технология изготовления позволяют объединять эти компоненты в схемы. К преимуществам полевых транзисторов относится то, что они управляются путем изменения напряжения, а не тока. Это обещает прибору и схемам на его основе большое будущее. [17]

Профили легирования ( а и распределение избыточной концентрации примесей ( б в пленарном транзисторе. [18]

В отличие от плоскостного транзистора пленарный транзистор имеет сильно легированную по сравнению с базой эмиттерную - область, в то время как область коллектора легирована слабее области базы. [19]

Структура р-п - р пленарного транзистора с защитным кольцом р-типа. [20]

В отличие от меза-струк-тур в пленарных транзисторах коллекторный переход имеет не везде плоскую форму. Вблизи краев отверстия в окисной пленке, в которое проводится диффузия, граница перехода искривляется. В этих работах получены сложные аналитические выражения для распределения примесей и формы р-п перехода вблизи края отверстия или проведен численный расчет с помощью ЭВМ. [21]

Диодная оптопара в фотогальваническом режиме. [22]

В качестве фотоприемника чаще всего используются кремниевые пленарные транзисторы п-р - п с внешними выводами только эмиттера и коллектора, иногда выводят и базовый электрод. В качестве излучателя используются арсенидогаллиевые излучающие диоды. [23]

В статье рассмотрено статическое входное сопротивление маломощного пленарного транзистора в микроамперном диапазоне токов. Приводятся типовые зависимости входного сопротивления от режима работы и температуры, а также зависимость его разброса от тока базы. [24]

Принцип устройства планарного транзистора. [25]

Наилучшими из диффузионных транзисторов являются так называемые пленарные транзисторы. У них п - р-переходы образуются диффузией примесей сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. При этом выводы от всех областей располагаются в одной плоскости. Название планарный дано именно от английского слова planar - плоский. Для изготовления этих транзисторов особенно удобно применять кремний, так как оксидная пленка на его поверхности может служить хорошим защитным слоем. Исходная пластинка кремния с пленкой оксида образует коллекторную область. В том месте, где должна быть базовая область, оксидная пленка снимается травлением и методом диффузии создается базовый слой. Затем всю поверхность снова окисляют и повторяют процесс травления и диффузии для создания эмиттерной области, которая располагается в средней части базовой области. После этого через маску наносятся выводы в виде металлических слоев. [26]

Описанная в работе особенность режима насыщения для маломощных пленарных транзисторов проявляется при токах коллектора меньше 0 5 - 1 мка. [27]

Другой причиной изменения состояния поверхности, характерной для пленарных транзисторов, является движение ионов щелочных металлов в слое окисла, особенно заметное при подаче напряжения и высокой температуре. [28]

Еще одна причина, которая может ограничить напряжение пленарного транзистора - это прокол. [29]

Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5