Пленарный транзистор

Cтраница 4

Качество транзисторов, полученных по такой технологии, довольно высоко и не отличается от качества типовых пленарных транзисторов. Подобным образом изготавливают также планарные диоды. [46]

Зависимость дифференциальной проводимости ysigsi ibst от изменения HI. ( - - - - - - - - - - - - - - - - 8si - - - - - - - - - - - - - - bsi. [47]

С помощью ЭЦВМ Минск-22 был проведен расчет дифференциальных и средних У-параметров схемы рис. 2 для пленарных транзисторов типа KT - 307iB при / 03 ма. [48]

Второй разновидностью полупроводниковых приборов, при изготовлении которых широко используется метод напыления в вакууме, являются пленарные транзисторы и диоды. В качестве исходного материала для их изготовления чаще всего используют пластинки кремния. В процессе изготовления пленарных диодов и транзисторов напыление металлов в вакууме используется только для создания контактов с электродами базы эмиттера и коллектора. Особенно широко метод напыления используется при изготовлении планарных диодных и триодных матриц. При этом для получения необходимой конфигурации контактов используются методы фотолитографии. [49]

Экспериментальные зависимости - i - f ( / K для. [50]

В табл. 2 приведены отношения tz / tv при / к 1 мка и л2 для маломощных пленарных транзисторов. [51]

Но было бы полезно описать основные технологические процессы, используемые для изготовления этих разнообразных приборов от простого пленарного транзистора до интегральных схем. Так вот основные используемые в наши дни технологические процессы. [52]

Наиболее перспективны для применения в области частот, на которых обычно сказываются шумы типа Iff, по-видимому, кремниевые пленарные транзисторы при условии получения у них высоких коэффициентов передачи по току при токах порядка 10 мка. Чтобы снизить у этих транзисторов шум типа 1 / /, связанный с существованием медленных поверхностных состояний, следует принимать меры для уменьшения нерегулярностей структуры, посторонних примесей и других дефектов внутри окисной пленки, защищающей поверхность пленарных транзисторов. [53]

Наряду с методами одинарной и двойной диффузии применяются методы тройной диффузии ( преимущественно для изготовления меза - и пленарных транзисторов), например для создания высоковольтных транзисторов. [54]

Монолитные резисторные схемы отличаются от проволочных и пленочных резисторных схем тем, что изготовляются на общей подложке, как и пленарные транзисторы. Достоинствами интегральных схем являются малые размеры, однородные электрические характеристики и хорошая стабильность благодаря идентичности материала и процесса производства для всех резисторов на одной подложке. Этот тип резисторной схемы обычно выпускается во взвешенной и цепной конфигурациях. В монолитном исполнении предпочтительнее цепная конфигурация, ибо здесь число элементов не влияет непосредственно на стоимость, а благодаря чередованию двух основных значений сопротивления может быть улучшена температурная компенсация. [55]

В частности, такая структура может быть реализована на двух интегральных схемах типа ИП-1, причем в качестве варикапов здесь используются соответственно барьерные емкости база-эмиттеряых и база-коллекторных переходов двух кремниевых пленарных транзисторов. [56]

Введением в указанные модели зависимости коэффициентов усиления транзистора от токов или напряжений на переходах, а также коэффициентов в показатели экспоненциальных функций, представляющих вольт-амперные характеристики р - - переходов транзистора, удается в определенной степени отразить некоторые свойства пленарных транзисторов. Однако эти модели не представляют двумерный характер явлений в планарном транзисторе, не учитывают накопления заряда в коллекторе. [57]

Наибольшую плотность упаковки элементов ( примерно 1 000 в 1 см.) получают в том случае, если различные области пластинки кремния превращают в диоды, транзисторы, сопротивления, конденсаторы путем применения ряда последовательных процессов диффузии, как это имеет место при изготовлении пленарных транзисторов. Проводники, соединяющие между собой отдельные схемные элементы, могут быть изготовлены путем напыления тонких полосок на промежуточный слой из SiCb. Этот метод позволяет сделать соединительные коммуникации весьма короткими. [58]

В результате рассмотрения структуры и характеристик планерного транзистора при работе в условиях низких и высоких уровней инжекции и различных транзисторных моделей приходим к выводу, что модели первого поколения, основанные на теории идеального транзистора ( модель Эберса и Молл а, зарядная модель, двухсекционная модель Лин-вилла), не могут быть использованы для анализа интегральных схем и других схем, включающих пленарные транзисторы без внесения коррективов. [59]

Тем не менее повышение допустимого напряжения в структурах мощных планарных транзисторов даже в этих пределах является важной задачей. Мощные пленарные транзисторы - это обычно высокочастотные приборы, используемые для генерирования или усиления радиочастотных сигналов в выходных каскадах передающих устройств. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5