Запертый транзистор

Cтраница 2

Влиянием тока утечки запертого транзистора пренебрегают, если ток, протекающий через резистор, во много раз больше тока утечки. [16]

Ток / ко запертого транзистора Т создает падение напряжения только на резисторе RK. [17]

Суммарный ток стоков запертых транзисторов, а следовательно, и весь ток рассматриваемой последовательной цепи, очень мал. Падение напряжения, создаваемое этим током в канале включенного транзистора Тц, тоже очень мало. По этой причине транзистор Ть, на затворе которого действует сигнал Х2 0, также включен. [18]

По коллекторной цепи запертого транзистора протекает неуправляемый, тепловой ток / ко, который удваивается при повышении окружающей температуры на каждые 10 С. Ток 1КО во всем рабочем температурном диапазоне не должен существенно влиять на магнитное состояние воспринимающих сердечников. Для повышения температурной стабильности используют сердечники с высокими коэффициентом квадратности [ см. (12.1) ] и точкой Кюри. Обычно у ферритовых сердечников с большими Нс точки Кюри выше и меньше температурные изменения их основных параметров - Br, Hc, Sw, rm, H0 и др. И хотя для перемагничивания таких сердечников требуется большая мощность, температурная стабильность МТЭ повышается. [19]

Влияние токов коллекторов запертых транзисторов / Кз можно свести к минимуму с помощью резисторов с подобранными величинами сопротивлений, включенных параллельно к выводам коллектор - эмиттер. [20]

Схема управления цифровой лампой с транзисторами, работающими в режиме пробоя. [21]

К остальным девяти запертым транзисторам приложено высокое напряжение. [22]

Так как при запертом транзисторе емкость заряжается через диод до величины амплитуды напряжения питания, диод запирается и ток перестает течь через нагрузку. Когда транзистор открыт, через емкость протекают обе полуволны переменного тока, причем отрицательная полуволна проходит через диод, а положительная - через транзистор. Таким образом схема позволяет коммутировать переменный ток, протекающий через нагрузку. [23]

В режиме отсечки через запертый транзистор протекает неуправляемый ток коллектора / ко - который зависит от типа транзистора и температуры. [24]

Вх передается на коллектор запертого транзистора и создает на последнем паразитным выброс напряжения. [25]

Схемы для измерения токов транзисторов. [26]

При измерении тока коллектора запертого транзистора / кз между базой и эмиттером подают запирающее напряжение. Величину тока замеряют миллиамперметром. [27]

Напряжение на жоллекторном переходе запертого транзистора не превышает допустимого уровня: доп-1 5 В. [28]

Вместе с тем токи запертых транзисторов И ДИОДОВ Обычно ПрНХОДИТСЯ уЧИТЫВаТЬ ( / кО О; / 607 0, / до. [29]

Выразите напряжение на коллекторе запертого транзистора Ti в схеме рис. 2.9 через параметры схемы, считая, что транзистор Тг при этом иа-сыщен. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5