Запертый транзистор
Cтраница 3
Нелинейная обратная связь при запертом транзисторе разорвана и не влияет на нагрузочную способность инвертора. [31]
Равномерное распределение напряжения на запертых транзисторах достигается включением параллельно им шунтирующих сопротивлений, ток через которые должен в 2 - 3 раза превосходить ток утечки коллектора при максимальной температуре корпуса транзистора. [32]
Благодаря этому напряжение на коллекторе запертого транзистора после опрокидывания схемы устанавливается близким к - Ек намного быстрее ( рис. 6.7, б), чем в основной схеме. [33]
В этих схемах коллекторное напряжение запертого транзистора не превышает напряжения UBX в отличие от схемы рис. IX.1, а, в которой оно равно 2t / BX. Это позволяет повысить вдвое напряжение питания мостовой и полумостовой схем и получить удвоенную мощность на выходе. [34]
При подаче в цепь базы запертого транзистора отпирающего сигнала нарастание коллекторного тока отстает от увеличения тока в цепи базы по следующим причинам. [35]
Установившееся состояние равновесия, соответствующее запертому транзистору Т2 и отпертому TI, будет сохраняться неограниченно долго, поскольку толчки токов и напряжений, вызванные перечисленными случайными причинами, не достаточны для отпирания закрытого транзистора. Чтобы переключить схему в новое состояние, необходимо воздействие запускающего сигнала, например, на базу запертого транзистора Т2 подать импульс напряжения отрицательной полярности. Этот импульс уменьшит потенциал базы запертого транзистора. Отпирание транзистора Т2 вызовет описанный выше лавинообразный процесс. В результате транзистор Т2 скачком перейдет в открытое состояние, a TI - в закрытое. [36]
 |
Схемы электронных ключей на р-п - р транзисторах. [37] |
Разомкнутое состояние ТК получается при запертом транзисторе, а замкнутое - при насыщенном транзисторе. [38]
При воздействии положительного импульса на базу запертого транзистора триггер не изменяет своего устойчивого состояния. [39]
Для этого оценим зависимость потенциала базы запертого транзистора и тока базы насыщенного транзистора от числа единичных входов тг ячейки. [40]
 |
Элементы на переключателях тока. а - ИЛИ. б - И.| Пороговая схема на туннельном диоде.| Усовершенствованная пороговая схема / на туннельном диоде. [41] |
Если все входы подсоединены к коллекторам запертых транзисторов, выходной транзистор проводит. [42]
Разброс параметров не учитывать; токи запертых транзисторов считать пренебрежимо малыми. [43]
Столь же простая эквивалентная схема для запертого транзистора не всегда возможна. [44]
Указан и е: токи в запертых транзисторах считайте пренебрежимо малыми. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5