Входной транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Покажите мне человека, у которого нет никаких проблем, и я найду у него шрам от черепно-мозговой травмы. Законы Мерфи (еще...)

Входной транзистор

Cтраница 2


Рабочая точка входного транзистора перемещается в активную область характеристик и при последующем снижении внешнего напряжения вх транзистор 7 начинает все больше и больше открываться. Возрастают прямые токи / бь / Ki и I ai, протекающие через входной транзистор, а напряжение на его коллекторе U K повышается. Поскольку напряжение U a уменьшается, а напряжение U увеличивается, происходит сравнительно интенсивное повышение напряжения U 632, между базой и эмиттером выходного транзистора.  [16]

17 Схема быстродействующего операционного усилителя цА715. [17]

Токи эмиттеров входных транзисторов задаются при помощи источника тока на Tg с транзистором Т (, в диодном включении. Последний одновременно используется для стабилизации тока источника тока на TI и Tig, первый из которых питает последующий дифференциальный каскад на Т и Ti, а второй включен в каскад сдвига уровня. Для уменьшения изменений потенциалов во входном каскаде при воздействии синфазных сигналов изменение базового потенциала транзисторов T Q и Ti4 через транзистор TS подается в цепь смещения источника тока Tg. С увеличением базового потенциала возрастает смещение на Тб и растет ток транзистора Tg, соответсТвеннб увеличиваются токи эмиттеров, что ограничивает повышение потенциалов на выходах дифференциального каскада. С уменьшением потенциала, наоборот, смещение на Т § снижается, ток транзистора Tg уменьшается.  [18]

В качестве входного транзистора схемы следует использовать транзистор П28, обладающий малым значением коэффициента шумов.  [19]

Входов и соответственно входных транзисторов может быть и больше.  [20]

21 Возбудитель адресного дешифратора. [21]

При этом все входные транзисторы заперты, так как их эмиттеры имеют более отрицательные потенциалы, чем базы.  [22]

23 Примеры включения операционных усилителей для выполнения различных ф-ций. [23]

В схеме включения входных транзисторов предусмотрен ряд мер защиты от перенапряжений. Ток стабилизации транзистора Т выбран из условий нулевого температурного дрейфа при напряжении исток-сток, несколько превышающем напряжение перегиба выходной ВАХ. Типичный режим этого транзистора является следующим: ток стока 200 мкА, напряжение исток - сток 2 В. Требуемый ток транзистора Т обеспечивается стабилизатором Тц. При таком построении входных каскадов между истоком и стоком сохраняется напряжение около 2 В независимо от напряжения, приложенного ко входу. Между затвором и истоком транзистора с р-п переходом может подаваться напряжение до 20 В. Высокий коэффициент подавления синфазной составляющей сигнала ( до 100 дБ) создает защиту от синфазной помехи. Комплекс указанных мер обеспечивает надежную защиту входных каскадов от перенапряжений.  [24]

Далее коллекторный ток входного транзистора быстро возраста ет, а выходное напряжение на инверсном выходе снижается по закону вых.  [25]

26 Распределение токов в многоэмиттерном транзисторе в схеме И-НЕ. [26]

Вх), эмиттеры входного транзистора не получают открывающего тока смещения.  [27]

28 Базовые логические элементы на МОП-транзисторах. [28]

Число входов определяется числом входных транзисторов.  [29]

Так как в исходном состоянии входные транзисторы элемента II группы были закрыты, до тех пор пока выходное напряжение элемента I группы не достигнет уровня отпирания указанных транзисторов ( t / вх. При этом время включения логической матрицы, определяемое временем, в течение которого t / BbIxn ( f) нарастает до изи.  [30]



Страницы:      1    2    3    4