Входной транзистор

Cтраница 3

Принцип построения элемента И-НЕ типа ТТЛ. [31]

При этом напряжение на коллекторе входного транзистора составляет около 0 6 В. При этом транзистор Тг запирается и выходное напряжение принимает значение, соответствующее высокому уровню. [32]

Величина шумов определяется типом ( входных транзисторов. [33]

Так как напряжение на затворе входного транзистора меньше порогового, то ток в стоковой цепи определяется лишь током утечки. Нагрузочный транзистор при этом находится в проводящем состоянии, однако его ток ограничен током утечки входного транзистора, составляющим обычно несколько наноампер и значительно превышающим токи утечки нагрузочного, так как размеры последнего меньше размеров управляющего транзистора. [34]

По окончании импульса коллекторные токи входных транзисторов быстро уменьшатся до нуля за время порядка тпр. [35]

Схемы защиты входа операционного усилителя. [36]

В ряде интегральных ОУ защита входных транзисторов предусматривается схемой самого ОУ. [37]

Выводы 1 и 7 являются эмиттерами входных транзисторов, которые необходимо через резистор подключить к выводам 3 и 5 соответственно. [38]

Положительные импульсы датчика поступают на базу входного транзистора через конденсатор С2, вызывая его заряд. [39]

Дешифратор на четыре выхода на схемах T-TTL. [40]

Снижение помехозащищенности объясняется падением напряжения на входном транзисторе UK3 при открывании схемы НЕ, И, которое может достигать 0 1 В. Однако уровень статической помехозащищенности схем T-TTL остается выше 0 25 В. При управлении схемой НЕ, И по базовому входу транзистора задержка формирования уровня О ( т10) возрастает, так как рассасывание заряда в базе транзистора происходит небольшим током через ограничительный резистор в цепи базы. [41]

Бесконтактно-транзисторный регулятор напряжения РР350; 77 - входной транзистор; Т2 - транзистор усиления; ТЗ - регулирующий транзистор; R - резистор. [42]

При работе ЛЭ необходимо следить, чтобы входные транзисторы Т1, 77, ТЗ не входили в насыщение. Обычно это условие выполняется благодаря применению выходных эмиттерных повторителей. [43]

Параллельный логический элемент на транзисторах с непосредственной связью. [44]

В данной логической схеме, если заперты входные транзисторы Ti Tm, то выходные транзисторы Т [ - Т п открыты. Если хотя бы один входной транзистор открыт, то все выходные транзисторы должны быть закрыты. [45]

Страницы: 1 2 3 4