Рассмотренный транзистор
Cтраница 1
 |
Полевой транзистор. [1] |
Рассмотренный транзистор называется полевым вследствие того, что управление током через канал достигается за счет воздействия электрического поля. [2]
Рассмотренный транзистор с собственным каналом, таким образом, может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [4]
В рассмотренных транзисторах движение неосновных носителей в базе происходит путем диффузии, так как внешнее напряжение сосредоточено в основном в р-п переходах, а электрическое поле в самой базе практически равно нулю. Такие транзисторы называются бездрейфовыми или диффузионными. Помимо них существуют транзисторы, у которых специальным распределением примесей в базе создается электрическое поле и движение неосновных носителей в базе происходит путем дрейфа. Та - рис. кие транзисторы называются дрейфовыми. [5]
 |
Конфигурация электродов мощных СВЧ-транзисторов. а - гребенчатая. б - многоэмиттерная. [6] |
В рассмотренном транзисторе при малом сопротивлении коллектора получаются малая емкость Ск и относительно большое напряжение L / K. Эпитак-сиальная технология широко применяется при изготовлении микроэлектронных схем. [7]
В рассмотренных транзисторах поле в базе отсутствует, перемещение носителей тока ( дрейф) происходит за счет диффузии, поэтому такие транзисторы называют бездрейфовыми. Транзисторы, у которых перемещение носителей тока через базу происходит под действием сил электрического поля, называют дрейфовыми. Недостатком обычных транзисторов является сравнительно малая величина входного сопротивления. От этого недостатка свободны полевые транзисторы. [8]
 |
Схемы включения транзисторов. а - с общим эмиттером, б - с общим коллектором. [9] |
Ввиду того что база рассмотренного транзистора является общей для цепи эмиттера и коллектора, такая схема включения называется схемой с общей базой. [10]
 |
Усредненные характеристики г3. [11] |
При двухполярном управлен-ии динамическое сопротивление всех рассмотренных транзисторов в закрытом состоянии примерно одинаково и составляет несколько мегом. [12]
 |
Транзистор типа п-р - п. [13] |
В соответствии с выполняемыми функциями области рассмотренного транзистора получили названия: левая - эмиттер, средняя - база ( основание) и правая - коллектор. К эмиттеру, коллектору и базе припаивают металлические электроды, а к ним прикрепляют внешние выводы. [14]
 |
Планарный транзистор с инжекционным питанием [ IMAGE ] - 26. Включение транзистора с инжекционным питанием. [15] |
Страницы: 1 2