Cтраница 2
В ИС с инжекционным питанием применяют цепочки из нескольких рассмотренных транзисторов. Для всех таких транзисторов кристалл типа п является общим эмиттером, и в нем создана область р, служащая общим инжектором. В такой цепочке чередуются транзисторы, находящиеся в режиме насыщения и в режиме отсечки. Если какой-то из транзисторов переходит в режим насыщения, то он замыкает базу и эмиттер следующего транзистора, который переходит в режим отсечки. В настоящее время разработано много различных ИС с инжекционным питанием и это направление микроэлектроники непрерывно развивается. [16]
В структуре дискретного эпитаксиально-планарного транзистора 13 ] отсутствуют изолирующие р - области, а контактная я - область и вывод коллектора расположены снизу. Поэтому ряд параметров рассмотренного транзистора хуже, чем у дискретного: выше сопротивление коллекторной области, имеется ток утечки в подложку, ниже граничная частота и быстродействие из-за влияния барьерной емкости изолирующего р-п перехода. [17]
В схемах включения транзистора один из его выводов является входным, другой - выходным, а третий - общим относительно входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой из выводов является общим, различают. Индексы в обозначении коэффициентов А21 передачи и усиления тока относятся к одноименным схемам. Чаще других применяется схема с общим эмиттером, как обеспечивающая наибольшее усиление мощности. При замене одного транзистора другим необходимо изменить полярность напряжения Ек его питания. Рассмотренный транзистор называется биполярным в отличие от униполярного полевого транзистора, который управляется не током, а электрическим полем. [18]