Cтраница 1
Первый транзистор Т1 включен как ра щелнтсльный каскад, который ограничивает влияние изменения выходтм о сопротивления предыдущих схем внешних устройств на последующие. Второй усилитель включен как разностный усилитель. Соотношение сопротивления резистора Л5 и выходного сопротивления цепи дискретизации определяет величину результирующего сигнала, а значит, и экспандирования. [1]
Первый транзистор 7 j включен как разделительный каскад, который ограничивает влияние изменения выходно. Второй усилитель включен как разностный усилитель. [2]
Первые транзисторы, появившиеся после их изобретения американцами, были крайне дороги. [3]
Первые транзисторы, изготовленные диффузионным методом, появились в 1956 г. С тех пор разработан ряд методов их изготовления, наиболее распространены в настоящее время плаиарный и планарпо-эпитаксиальный методы. [4]
Первые транзисторы всех усилителей Уд0 - - Уб и усилителей Уе0 - Уе9 закрыты этими потенциалами, а вторые транзисторы остаются открытыми. Однако транзисторы усилителей У-Ув закрыты, так как из блока пробы промежуточных линий МЗ на входы / - 6 поступает нулевой потенциал. Поэтому переключающие электромагниты ПМг, ПМ2, МКС-1, МКС-2, МКС-3 сработать не могут. [5]
![]() |
Схема искроотметчика. [6] |
Первый транзистор при поступлении отрицательного импульса на его базу отпирается, а второй запирается за счет разряда конденсатора. Длительность этого неустойчивого состояния равновесия в основном определяется величиной сопротивления R ( 45 ком) и емкости С ( 10 мкф) и в данном случае составляет 0 5 сек. После разряда конденсатора через сопротивление R и отпертый транзистор устройство переходит в первоначальное устойчивое состояние равновесия. В цепь первого транзистора включена обмотка РП-4. При прохождении искрового разряда первый транзистор отпирается, через обмотку РП-4 проходит ток, контакты РП-4 замыкаются, и загорается лампочка. [7]
![]() |
Принципиальная электрическая схема преобразователя. [8] |
Когда первый транзистор 7 закрыт, второй открыт. [9]
![]() |
Схемы с транзисторами, позволяющие получать высокое входное сопротивление. [10] |
Включение первого транзистора по схеме с общим коллектором также связано с некоторым проигрышем в усилении, ибо этот же транзистор в схеме с общим эмиттером обеспечил бы больший коэффициент усиления по мощности. Входное сопротивление такого каскада примерно в р раз больше сопротивления его нагрузки ( входного сопротивления следующего каскада), но не может превосходить значение параметра гк. [11]
![]() |
Схема типового усилителя низкой частоты с коэффициентом усиления 30 - н 200. [12] |
Для первого транзистора гт состоит из параллельно включенных сопротивлений R6 R11 R2 и выходного сопротивления источника. [13]
В первых транзисторах, так называемых точечных транзисторах, два металлических острия устанавливались на германиевом кристалле таким образом, чтобы места их контакта с кристаллом были расположены в непосредственной близости друг к другу. Конструкция в целом напоминала кристаллический детектор, широко применявшийся на заре развития радио. Спустя совсем немного времени точечный транзистор был вытеснен сплавным транзистором, который в большей степени удовлетворял требованиям к механической прочности и стабильности характеристик во времени. [14]
Тогда ток первого транзистора увеличится на Д /, а ток второго уменьшится на эту же величину. [15]