Первый транзистор

Cтраница 2

Коллекторный ток первого транзистора должен быть значительно больше максимального тока базы второго, тогда режим первого транзистора выбирается без учета тока базы второго. [16]

Схема каскада на составном транзисторе.| Схема усилительного каскада на составном транзисторе с большим входным сопротивлением. [17]

Голодный режим первого транзистора заметно уменьшает его коэффициент усиления тока и в целом коэффициент уси -, ления тока составного транзистора. [18]

Поэтому к первому транзистору предъявляются повышенные требования и он должен быть отобран по большому допустимому напряжению эмиттер-коллектор и иметь лучшие частотные свойства, чем остальные. Граничная частота его должна превышать полосу горизонтального усилителя. [19]

В этом случае первый транзистор ( 7) нужно выбирать с большой величиной проводимости Укб. [20]

С появлением стереосигнала первый транзистор мультивибратора открывается ( за счет напряжения на резисторе R22), по резистору R30 протекает коллекторный ток. За счет падения напряжения на этом резисторе изменяется режим работы стабилитрона Д25 ( он открывается), в результате чего резко уменьшается смещение рабочей точки полярного детектора ( Д24) и он вводится в режим детектирования. [21]

Коэффициент передачи тока первого транзистора некритичен. Однако точность расчета характеристик за счет принятых допущений при этом несколько снижается. [22]

Кварцевый генератор на транзисторах.| Генератор с самовозбуждением типа RC с двойным Т - образным мостом. [23]

В схеме рис. 7.7 первый транзистор является генератором, построенным по емкостной трехточечной схеме. Второй транзистор этой схемы является мощным усилителем колебаний. [24]

Двухкаскадный усилитель с параллельной обратной связью по току. [25]

При этом коллекторное напряжение первого транзистора возрастет, что должно вызвать увеличение коллекторного тока второго транзистора. [26]

Схема автоматического контроля уровня жидкости в резервуаре с использованием ключевого режима работы транзисторов. [27]

Напряжение смещения на базу первого транзистора 7 подается через сопротивление R2 и сопротивление перехода электрод - жидкость. Если жидкость находится ниже электрода ( 5), то напряжение смещения на базе транзистора Т и коллекторный ток отсутствуют. [28]

Следовательно, стабильность коллекторного тока первого транзистора в этой схеме может быть в несколько раз выше, чем в схеме ОБ. [29]

Здесь штрих относится к параметрам первого транзистора, а два штриха к параметрам второго. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5