Германиевый сплавной транзистор

Cтраница 2

Зависимость коэффициента усиления Р от тока / э германиевого сплавного транзистора средней мощности. [16]

На рис. 2.30 приведена типичная зависимость РОТ /, для германиевого сплавного транзистора средней мощности, из которой следует, что р начинает снижаться при токах около 15 ма. Для таких же транзисторов малой мощности уменьшение Р наступает при / 0 5 - 0 8 ма. [17]

Оба описанных метода повышения коллекторного напряжения могут быть использованы только для германиевых сплавных транзисторов, так как диффузия в кремнии приведет к слишком резкому снижению времени жизни неосновных носителей заряда. [18]

В формуле ( 100) при расчете сопротивления в цепи делителя базового смещения для германиевых сплавных транзисторов задаются величиной Y. Рассматриваемая зависимость часто не совпадает с температурной характеристикой терморезистора, и поэтому, как правило, при построении транзисторных усилителей приходится корректировать характеристику тер-морезистора. Для этой цели используют схемы термокомпенсации, рассмотренные в гл. [19]

Зависимость распределения электрического поля от напряжения в структуре с сильнолегированным слоем под эмиттером. [20]

Надо напомнить, что создание структуры с сильно легированным слоем в базовой области возможно в германиевых сплавных транзисторах, потому что этот слой может быть получен только с помощью диффузии. [21]

Коэффициент передачи тока базы транзистора в инверсном включении меньше, чем в обычном включении: для германиевых сплавных транзисторов упомянутого типа он лежит в пределах 3 - 15, для кремниевых сплавных не более четырех ( для некоторых образцов меньше единицы), а для диффузионных, пленарных всегда меньше единицы. Крутизна переходной характеристики транзисторов при инверсном включении также меньше, чем при прямом включении: для сплавных маломощных германиевых транзисторов величина имеет влияние 25 - 30 и для кремниевых 10 - 15 мА / В. [22]

Низкочастотная часть современного транзисторного портативного радиовещательного приемника с громкоговорителем имеет, как правило, три каскада на маломощных германиевых сплавных транзисторах серий П13 - П15А, МП39 - МП41А, ГТ108А - ГТ108Г или ГТ109А - ГТ109Г ( рис. 39); два каскада предварительного усиления однотактные, содержат по одному транзистору, а третий, оконечный, двухтактный, - два транзистора, работающие в режиме АВ. [23]

Низкочастотная часть современного транзисторного портативного РВ приемника с громкоговорителем имеет, как правило, три каскада на маломощных германиевых сплавных транзисторах серий МП39 - МП41А, ГТ108А - ГТ108Г или ГТ109А - ГТ109Г ( рис. 4 - 13); два, каскада предварительного усиления однотактные, содержат но одному транзистору, а третий, оконечный - два транзистора, работающих в режиме АВ. [24]

На рис. 79, а показан общий вид установки ЖКМЗ 240.002 для электролитического травления кристаллов с р - - переходами мощных германиевых сплавных транзисторов. Установка имеет шести-позиционную карусель, предназначенную для транспортировки обрабатываемых кристаллов с переходами от позиции к позиции, включая закрепление и снятие кристалла с р - - переходами на первой позиции, травление и промывку в горячей деионизованной воде на четырех последующих позициях. Все детали установки, которые соприкасаются со щелочами, или подвержены воздействиям ее паров, изготовлены из прозрачного органического стекла. [25]

Из приведенных данных вытекает, что кремниевые транзисторы имеют значительно большие значения граничных напряжений i / эб и Укб, чем германиевые сплавные транзисторы, а германиевые высокочастотные транзисторы типа П402 занимают промежуточное положение. [26]

Какую ширину базы должен иметь р-п - р сплавной кремниевый транзистор, чтобы граничная частота его коэффициента передачи тока была равна граничной частоте / а у п-р - п германиевого сплавного транзистора. [27]

Использование защиты против образования избыточных зарядов вблизи поверхности кристалла. [28]

Иногда перераспределение зарядов в окисле вблизи переходов происходит весьма быстро, в течение миллисекунд. Например, в германиевых сплавных транзисторах иногда наблюдается явление так называемой коммутационной нестабильности обратного тока. Оно заключается в том, что в течение некоторого времени после подачи напряжения величина обратного тока во много раз превышает установившееся значение. Происходит как бы разряд некоторой емкости и перемещение зарядов. [29]

Принципиальная схема выходного каскада кадровой развертки.| Линеаризирующие цепи выходных каскадов кадровой развертки. [30]

Страницы: 1 2 3