Cтраница 3
Чем больше угол отклонения электронного луча кинескопа, тем больший ток должен протекать через кадровые катушки. Для получения необходимого тока отклонения при высоком коэффициенте усиления в выходном каскаде кадровой развертки, работающем в режиме класса А, обычно используется мощный германиевый сплавной транзистор. [31]
Относительный ( приведенный ко входу) дрейф напряжения. На рис. 8 - 7 и 8 - 8 даны графики зависимости входного напряжения ut от температуры при различных постоянных значениях тока JK: на рис. 8 - 7 - для кремниевых транзисторов с выращенным переходом и на рис. 8 - 8 - для германиевых сплавных транзисторов. [32]
Знание максимальной рабочей температуры позволяет сделать выбор между германиевыми и кремниевыми транзисторами. При температурах ниже соответствующих значений критической температуры ГКбо величины дрейфов для германиевых и кремниевых транзисторов сравнимы. Как видно из рис. 8 - 12, у кремниевых транзисторов наблюдается тенденция в сторону меньшего приведенного входного дрейфа тока по сравнению с германиевыми транзисторами. График на рис. 8 - 11 показывает, что величина приведенного входного дрейфа напряжения по существу одинакова для обоих типов транзисторов. Типичные значения температуры ГКбо для германиевых сплавных транзисторов приведены на рис. 8 - 13; величины Гкбо для кремниевых транзисторов, рассматриваемых в этой главе, превышают 100 С. [33]
В высоковольтных транзисторах используют полупроводники с повышенным удельным сопротивлением. Однако чрезмерное увеличение удельного сопротивления исходного полупроводника в сплавных приборах ( для кремниевых сплавных транзисторов п-р-п-тнш более 30 - - 70 Ом см) приводит к уменьшению напряжения смыкания. Эффект смыкания заключается в том, что при повышении приложенного напряжения область объемного заряда обратно смещенного коллекторного перехода расширяется и при определенных напряжениях ее граница может достичь эмиттерного перехода. В результате резко падает входное сопротивление и теряются усилительные свойства транзистора. Применение исходного полупроводника с высоким удельным сопротивлением в германиевых сплавных транзисторах приводит, кроме того, к понижению рабочей температуры. [34]