Микросплавный транзистор

Cтраница 1

Микросплавные транзисторы с однородной и диффузионной базами представляют собой конструктивное усовершенствование поверхностно-барьерного триода. Основными недостатками последнего являются малая эффективность эмиттера и высокое базовое сопротивле ние, что отражается на усилительных и частотных свойствах прибора. [1]

Схема образования коллекторного р-п перехода и диффузионной базы в дрейфовых транзисторах. [2]

Для микросплавных транзисторов после осаждения индия производится дополнительная операция сплавления. Этим методом удается получить транзисторы с толщиной базы 3 - 5 мк и предельной частотой усиления по току 50 - 70 Мгц. [3]

Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [4]

У сплавных, поверхностно-барьерных и микросплавных транзисторов область базы однородная и принцип их действия соответствует диффузионной модели ( см. стр. [5]

Схема струйного электрохимического травления. кристалл. 2 - сопло. 3 - кристаллодержатель. 4-контакт. 5 - струя электролита. [6]

В настоящее время микросплавные транзисторы выпускают и используют в весьма ограниченных количествах. [7]

Устройство дрейфовых транзисторов. диффузионный транзи. [8]

Толщина базы у микросплавных транзисторов составляет несколько микрон, поэтому предельная частота / а оказывается более высокой, чем у сплавных транзисторов. [9]

Генератор на двух-базовом диоде, выполненный в виде твердой схемы.| Схема триггера.| Схема триггера, разорванная в точках 4 и 2. [10]

Такую схему можно выполнить на микросплавных транзисторах, сопротивления насыщения которых малы. Имеются и некоторые другие пути выполнения схемы без дополнительного питания. [11]

Из приборов, получаемых электрохимическим способом, заслуживают особого внимания лишь диффузионные микросплавные транзисторы, которые вполне конкурентоспособны в отношении диффузионных меза-транзисторов. Их главное преимущество - малое падение напряжения и малый обратный ток, вследствие чего только на этих приборах удается практически выполнять схемы с непосредственной связью. [12]

К сплавным триодам близки по структуре и геометрии поверхностно-барьерные и их разновидности - микросплавные транзисторы МАДТ и ЕКДК. Однако их преимуществом перед сплавными является повышенный частотный предел. В основе технологии заложен принцип автоматизации и механизации всех процессов. Это позволяет получить в перспективе малый разброс параметров. Специфическим использованием их следует считать высокочастотные импульсные схемы, в частности триггеры и мультивибраторы с непосредственными связями, поскольку напряжения имеют один порядок. Не исключено применение этих триодов и в других схемах, однако относительно высокая стоимость и наличие более дешевых высокочастотных триодов делают это нецелесообразным. [13]

Комбинация метода струйного травления для создания тонкой базовой области с вплавлением примесей для получения fi-n переходов используется при изготовлении микросплавных транзисторов, частотный предел которых достигает 100 - 300 Мгц. [14]

При этом необходимо иметь в виду, что при расчете технологического выхода годных изделий отсчет ведется от определенной операции, которая называется начальной, и устанавливается по каждому виду технологических процессов. Например, для сплавных и микросплавных транзисторов начальной операцией является сплавление, а для точечных диодов - травление и загрузка кристаллов перед напайкой на держатель. [15]

Страницы: 1 2