Cтраница 2
Базовую область с неоднородным распределением примесей и переход коллектор - база получают посредством диффузии из газовой фазы в полупроводниковую пластинку, образующую коллекторную область. Затем получают переход эмиттер - база при помощи электрохимического травления и осаждения так же, как и в случае микросплавных транзисторов. Электрохимическое осаждение используется также для получения коллекторного контакта вблизи перехода коллектор - база. [16]
Тип транзистора выбирается с учетом его специфических особенностей. Так, например, при низких частотах до 10 - 20 Мгц в широком диапазоне мощностей и токов во всех схемах могут применяться сплавные транзисторы, имеющие к тому же наиболее низкую стоимость. Специфической областью микросплавных транзисторов следует считать высокочастотные переключающие схемы, триггеры и мультивибраторы с непосредственными связями, однако следует иметь в виду их сравнительно высокую стоимость. Тянутые транзисторы, обладая высоким напряжением и коэффициентом усиления, могут быть хорошо использованы в линейных усилителях, в видеоусилителях и в высоковольтных и малотоковых релаксационных генераторах; сплавно-диффу-зионные - в высокочастотных резонансных и апериодических усилителях, низковольтных скоростных генераторах импульсов и переключателях; конверсионные - в генераторах и усилителях радиопередающих устройств средних мощностей и средних частот, переключателях сравнительно больших токов и неболь - ших напряжений при средних скоростях. [17]
Прокол транзисторов проявляется в схемах с общим эмиттером, особенно при глубоких локальных проплавлениях базовой области. Наибольшее допустимое напряжение между коллектором и базой может варьироваться от 6 - 10 в ( германиевые микросплавные транзисторы) до 20 - 300 в ( кремниевые диффуз. [18]
Прокол транзисторов проявляется в схемах с общим эмиттером, особенно при глубоких локальных проплавлениях базовой области. В области запирающего слоя, прилегающего к поверхности, может развиваться поверхностный пробой, сильнее всего проявляющийся на перем. Наибольшее допустимое напряжение между коллектором и базой может варьироваться от 6 - 10 в ( германиевые микросплавные транзисторы) до 20 - 300 в ( кремниевые диффуз. [19]
В свете сказанного кажется перспективным использование зпитаксиальной технологии для изготовления лавинных транзисторов. При этом реализуются достоинства высокочастотных транзисторов с диффузионной базой и устраняются указанные выше недостатки. Эпитаксиальная технология позволяет также улучшить ряд параметров лавинного транзистора, важных при его работе в импульсных схемах, например, позволяет получить малое последовательное сопротивление коллектора, малую емкость коллекторного перехода и достаточно большое напряжение пробоя перехода коллектор - база. Несмотря на то, что при 1 - 1 / Л1 0 7 сплавные транзисторы дают существенный выигрыш в быстродействии, сплавная технология, видимо, не найдет применения при изготовлении лавинных транзисторов из-за трудности получения узкой базы. Однако микросплавные транзисторы могут дать достаточно хорошие результаты, поэтому их возможности при работе в лавинном режиме необходимо исследовать детальнее. [20]