Более высокочастотный транзистор

Cтраница 1

Зависимость мощности рассеяния от частоты. [1]

Более высокочастотный транзистор будет греться меньше, чем низкочастотный. Из ф-л (2.97), (2.98) и (3.15) видно, что мощность потерь будет тем ниже, чем выше / а транзистора. [2]

Таким образом, применение более высокочастотного транзистора приводит в данном случае к снижению эквивалентной входной емкости повторителя примерно в четыре раза. [3]

Указанные технологические особенности позволяют создать более высокочастотные транзисторы, но не приводят к принципиальному отличию дрейфового триода от диффузионного с точки зрения его параметров, характеристик и схемных применений. [4]

Если эти неравенства не выполняются, следует выбрать более высокочастотный транзистор и провести весь расчет заново. [5]

Проверяют по формулам ( 5 - 9), ( 5 - 10), ( 5 - 12) и ( 5 - 13) длительность полученных фронтов импульсов И выбирают более высокочастотные транзисторы, если длительность фронтов не отвечает предъявленным к ним требованиям. [6]

Исключение составляют два случая: когда требуется получить низкие шумы и когда мощный транзистор работает как переключатель прямоугольных импульсов с крутыми фронтами. Более высокочастотный транзистор будет греться меньше, чем низкочастотный. [7]

В иных случаях следует применять более высокочастотные транзисторы. [8]

При меньших временных интервалах между моментами переключения триггера следует применять более высокочастотные транзисторы. В случае выбора среднечастотных и высокочастотных транзисторов нужно учитывать, что дрейфовые транзисторы обладают худшими ключевыми свойствами, чем сплавные, и предпочтение следует отдавать последним. [9]

Обычно рекомендуется применять низкочастотные транзисторы при длительности фронтов ( спадов), превышающих Тф0 5ч - 1 мксек. При более жестких требованиях к длительностям фронтов ( спадов) следует применять более высокочастотные транзисторы. В случае выбора среднечастотных и высокочастотных транзисторов нужно учитывать, что дрейфовые транзисторы обладают худшими ключевыми свойствами, чем сплавные, и предпочтение следует отдавать последним. [10]

Если для выбранного типа транзистора в процессе расчета окажется, что значение устойчивого коэффициента усиления в 1 5 - 2 раза меньше реализуемого значения, применяют схемы нейтрализации. Если реализуемый коэффициент усиления превышает устойчивый более чем в 2 раза, применяют кас-кодные схемы или выбирают более высокочастотный транзистор. [11]

Амплитудно-частотная характеристика уеилит ля У4 д ь. [12]

Амплитудно-частотная характеристика усилителей на транзисторах в области верхних частот определяется емкостями эмиттерного и коллекторного переходов, в области нижних частот - емкостью разделительных и блокировочных конденсаторов. Чтобы расширить частотный диапазон в сторону верхних частот, либо уменьшают сопротивления на входе и выходе резистивного каскада, либо используют более высокочастотный транзистор. Диапазон усиливаемых частот может простираться до 100 кГц и более, что приводит к исчезающе малым линейным искажениям. [13]

Частотная зависимость коэффициента передачи тока составного транзистора в равной степени определяется частотными свойствами обоих транзисторов. Если транзисторы 7 и Т2 имеют разные граничные частоты, то в схеме с ОБ граничная частота коэффициента передачи тока эмиттера составного транзистора / а близка к граничной частоте / a; более высокочастотного транзистора; в схемах с ОЭ и ОК граничная частота коэффициента передачи тока базы составного транзистора / в не превышает граничную частоту / вг более низкочастотного транзистора. [14]

Варианты входных цепей прямого канала. [15]

Страницы: 1 2