Cтраница 2
Следующий вариант ( рис. 19, в) характерен тем, что корректирующий контур включен в коллекторную цепь, а к базе, как и в первом варианте, может быть подсоединен полосовой фильтр. Однако при прочих равных условиях наличие резонансных цепей в базе и коллекторе менее предпочтительно из-за большей склонности схемы к самовозбуждению, что требует снижения общего коэффициента усиления каскада или применения в нем более высокочастотного транзистора. [16]
Оценим теперь возможности более простой переключающей ток схемы, использующей высокочастотные транзисторы, допускающие насыщение во включенном состоянии. Так как применяются высокочастотные транзисторы, можно допустить наихудшие эффекты, обусловленные насыщением, и исключить диоды обратной связи, создающие наибольшие трудности при сдвиге уровня. Хотя более высокочастотные транзисторы довольно дороги, исключение диода, сдвигающего уровень, и двух диодов обратной связи является достаточной компенсацией и уравновешивает стоимость обеих схем. [17]
Электронные ключи на дискретных элементах исследованы достаточно полно. Результаты этих исследований можно распространить на ключевые элементы, используемые в ИМС. Однако при этом следует учитывать их особенности, заключающиеся в том, что электронные ключи в ИМС строятся на более высокочастотных транзисторах, поэтому при анализе их работы непременно учитывается влияние паразитных емкостей монтажа и нагрузки, а также конечная скорость нарастания и спада крутых перепадов управляющих импульсов. Существенным отличием является также наличие подложки, которая приводит к появлению паразитных емкостей в различных узлах электронного ключа и образованию паразитных транзисторных структур. [18]
Если быстродействие и достижение максимальной величины коэффициента объединения и нагрузочной способности не стоят на первом месте, обычно вместо ДТЛ схем используются схемы ТРЛ из-за их простоты, низкой стоимости и высокой надежности компонентов, входящих в схему. Быстродействие ТРЛ схем определяется типом транзистора до тех пор, пока постоянные времени сопротивлений нагрузки и емкостей не ограничивают быстродействие схемы. Обычно более высокочастотный транзистор обеспечивает большее быстродействие логических схем. [19]
Было показано, что на транзисторах, имеющих faco 4 Мгц, переключающая напряжение логическая цепочка дает коэффициент разветвления, равный всего 2 ( один выход может управлять всего двумя входами), при скорости переключения 0 5 мксек на одну логическую ступень. Этот коэффициент разветвления, равный 2, весьма неудобен и чаще всего в универсальных вычислительных машинах приводит к слишком дорогим и громоздким схемам. Хотя в последующих главах будут рассмотрены более эффективные схемы, проведенный здесь детальный анализ полезен как основа для анализа других схем и переключающих схем вычислительной машины вообще. Для расчета скорости переключения и коэффициента разветвления, которые можно получить при работе с более высокочастотными транзисторами, используя схемы этой главы, необходимы коллекторные характеристики, подобные представленным на фиг. [20]