Современный транзистор

Cтраница 2

У современных транзисторов величина гэ составляет обычно десятки ом, гб - сотни ом, а гк - сотни тысяч ом. Поэтому ясно, что, подключив ко входу такой схемы ( к зажимам / - /) источник входного сигнала, мы создадим в сопротивлении гк и в нагрузке, подключенной к выходным клеммам 2 - 2, значительно меньший ток, чем ток в сопротивлении г3 и в цепи базы. Такой режим не соответствует реальным условиям работы транзистора, обладающего усилительными свойствами. Поэтому необходимо изменить распределение тока между ветвями эквивалентной схемы. [16]

Недостатки современных транзисторов заставляют вводить в схемы специальные элементы, стабилизирующие режим работы транзистора. [17]

В современных транзисторах шумы 1 / /, в основном, обусловлены качеством обработки поверхности у р-п перехода. Область частот, в которой преобладают шумы l / f, различна для разных типов транзисторов. У лучших образцов низкочастотных приборов эта область заканчивается в диапазоне до 1000 гц. [18]

В современных транзисторах, созданных диффузионными методами, наиболее высокоомной областью является тело коллектора. Поэтому в насыщенном режиме, когда оба перехода смещены в прямом направлении, происходит не только инжекция избыточных неосновных носителей в область базы со стороны эмиттера и коллектора, но и инжекция неосновных носителей в тело коллектора со стороны как активной, так и пассивной области базы, поскольку в отличие от сплавных транзисторов у дрейфовых транзисторов тело коллектора выполнено из более высокоомного материала, чем область базы. [19]

Основным типом современных транзисторов является плоскостной транзистор с двумя p - n - переходами. Он представляет собой полупроводниковый кристалл, в котором две крайние области с однотипной электропроводностью разделены областью противоположной электропроводности. В настоящее время более распространенными являются транзисторы р-л-р-типа, которые и будем рассматривать ниже. [20]

Технические условия на современный транзистор содержат более чем на два десятка электрических и эксплуатационных параметров, причем перечень этих параметров, а также нормы и требования всецело определяются назначением прибора и возможностями завода-изготовителя. К этим параметрам, например, относятся коэффициенты усиления по напряжению и току, допустимая мощность рассеивания коллектором, максимальное обратное напряжение, прикладываемое к эмиттер-ному и коллекторному переходам, максимальный ток эмиттера и коллектора, обратный ток коллектора, диапазон рабочих температур, предельная частота и емкость коллекторного перехода для приборов, работающих в области повышенных частот. [21]

Распределение примесей в дрейфовом транзисторе, изготовленном методом двойной диффузии. [22]

Технические условия на современный транзистор содержат нормы более чем на два десятка электрических и эксплуатационных параметров, причем перечень этих параметров, а также нормы и требования всецело определяются назначением прибора и возможностями завода-изготовителя. [23]

Так как для большинства современных транзисторов величина а0 близка к единице, то для диапазона частот, в котором выполняется выражение (4.70), флуктуации коллекторного и эмит-терного токов сильно коррелированы. Знак минус в уравнении (4.70) следует из принятого нами условия, что токи, протекающие в базе, являются положительными; это приводит к отрицательной корреляции между низкочастотными флуктуациями входящего тока эмиттера и выходящего из базы тока коллектора. [24]

Схематическое изображение биполярного транзистора. [25]

Это отношение для большинства современных транзисторов близко к 0 9 - 0 99, но всегда остается меньше единицы. [26]

Хорошие же частотные свойства современных транзисторов позволяют исключить из этих систем цепи положительной обратной связи, вводимые обычно для ускорения процессов переключения. [27]

Еще одна особенность при включении современного транзистора заключается в разряде его выходной емкости и связанных с этим потерями. [28]

Входная и выходная емкости в современных транзисторах имеют порядок единиц, пикофарад, а проходная емкость - десятых долей пикофарада. Путем смещения затвора ( рис. 7.17) она может быть снижена на порядок. Благодаря таким величинам параметров современные транзисторы с изолированным затвором могут эффективно усиливать колебания на частотах в десятки гигагерц. [29]

Условные графические обозначения транзисторов и тиристоров. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5